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【24h】

The Maximum Operating Region in SiGe HBTs for RF Power Amplifiers

机译：用于射频功率放大器的SiGe HBT中的最大工作区域

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The maximum operating region of a SiGe HBT has been experimentally investigated by a direct microwave waveform measurement. Dynamic RF load lines are used as a probe to detect the limit of the RF operation. For the first time, it is found that SiGe HBTs operate beyond the conventional BV_(ceo), while GaAs HBTs cannot survive at that voltage. The conventional BV_(ceo) limits the average V_c of the maximum load lines, but has no influence on the peak voltage. Another BV_(ceo) measured with a voltage generator is proposed to represent the irreversible avalanche breakdown instead of the conventional one. A pulsed breakdown measurement is also performed to reveal the time constant of the phenomena.
机译：SiGe HBT的最大工作区域已通过直接微波波形测量进行了实验研究。动态RF负载线用作探测RF操作极限的探针。首次发现，SiGe HBT的工作超出了常规的BV_（ceo），而GaAs HBT不能在该电压下生存。传统的BV_（ceo）限制了最大负载线的平均V_c，但对峰值电压没有影响。提出了用电压发生器测量的另一种BV_（ceo）来表示不可逆雪崩击穿的方法，以代替传统的方法。还执行脉冲击穿测量以揭示现象的时间常数。

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