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一种Ka波段SiGe BiCMOS射频功率放大器

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摘要

本发明公开了一种Ka波段SiGe BiCMOS射频功率放大器，包括依次连接的输入匹配网络、前级增益放大电路、级间匹配网络、后级功率放大电路和阻抗变换网络；所述前级增益放大电路、后级功率放大电路均包括SiGe BiCMOS；所述前级增益放大电路、后级功率放大电路的输入端分别连接有第一偏置电路、第二偏置电路。采用二级放大，且采用SiGe BiCMOS作为放大管，能够满足在较高的效率下实现足够的增益和输出功率，解决CMOS性能差，III‑V族半导体成本高、体积大等问题，而且其具有比较高的特征频率和噪声特性，更利于集成。

著录项

  • 公开/公告号CN109245734A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-01-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 胡建全;

    申请/专利号CN201811070251.1

  • 发明设计人 马凯学;谢昌梓;牟首先;孟凡易;

    申请日2018-09-13

  • 分类号H03F1/56(20060101);H03F1/26(20060101);H03F3/193(20060101);H03F3/21(20060101);H03G3/30(20060101);

  • 代理机构51256 成都路航知识产权代理有限公司;

  • 代理人李凌

  • 地址 650000 云南省丽江市玉龙纳西族自治县大具乡培良村委会峨眉址一组35号

  • 入库时间 2024-02-19 08:37:57

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-31

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03F1/56 申请日:20180913

    实质审查的生效

  • 2019-01-18

    公开

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