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机译:采用SiGe HBT技术的219-266 GHz LO可调直接变频IQ接收器模块
Univ Wuppertal, Inst High Frequency & Commun Technol, Rainer Gruenter Str 21, D-42119 Wupppertal, Germany;
Univ Wuppertal, Inst High Frequency & Commun Technol, Rainer Gruenter Str 21, D-42119 Wupppertal, Germany;
Univ Wuppertal, Inst High Frequency & Commun Technol, Rainer Gruenter Str 21, D-42119 Wupppertal, Germany;
IHP Microelect, Technol Pk 25, D-15236 Frankfurt, Oder, Germany;
Univ Wuppertal, Inst High Frequency & Commun Technol, Rainer Gruenter Str 21, D-42119 Wupppertal, Germany;
RF Front-ends; teraHertz technology and applications;
机译:采用130nm SiGe:C BiCMOS技术的220–275 GHz直接转换接收器
机译:采用SiGe技术的全集成式240 GHz直接转换正交发射器和接收器芯片组
机译:采用90 nm,300 GHz SiGe HBT技术实现的毫米波接收机前端的单事件效果
机译:采用SiGe HBT技术的219–266 GHz完全集成的直接转换IQ接收器模块
机译:采用商用0.12微米硅锗HBT技术的30 GHz和90 GHz的Ka波段和W波段毫米波宽带线性功率放大器集成电路,输出功率超过100 mW
机译:SIGE HBT技术中219-266 GHz可调直接转换IQ接收器模块
机译:功率siGe异质结双极晶体管(HBT)采用全自对准双mesa技术制造