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首页> 外文期刊>International journal of RF and microwave computer-aided engineering >A Miniature Low-Power Ultra-Wideband Low Noise Amplifier in 0.18 fim CMOS
【24h】

A Miniature Low-Power Ultra-Wideband Low Noise Amplifier in 0.18 fim CMOS

机译：微型低功耗超宽带低噪声放大器，采用0.18 fim CMOS

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A 0.18-μm CMOS low-noise amplifier (LNA) operating over the entire ultra-wideband (UWB) frequency range of 3.1-10.6 GHz, has been designed, fabricated, and tested. The UWB LNA achieves the measured power gain of 7.5 ± 2.5 dB, minimum input matching of -8 dB, noise figure from 3.9 to 6.3 dB, and IIP3 from - 8 to —1.9 dBm, while consuming only 9 mW over 3-10 GHz. It occupies only 0.55 x 0.4 mm2 without RF and DC pads. The design uses only two on-chip inductors, one of which is such small that could be replaced by a bonding wire. The gain, noise figure, and matching of the amplifier are also analyzed.
机译：已经设计，制造和测试了在3.1-10.6 GHz的整个超宽带（UWB）频率范围内运行的0.18μmCMOS低噪声放大器（LNA）。 UWB LNA的实测功率增益为7.5±2.5 dB，最小输入匹配为-8 dB，噪声系数为3.9至6.3 dB，IIP3为-8至-1.9 dBm，而在3-10 GHz范围内仅消耗9 mW 。不含RF和DC焊盘时，它仅占0.55 x 0.4 mm2。该设计仅使用两个片上电感器，其中一个很小，可以用焊线代替。还分析了放大器的增益，噪声系数和匹配度。

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