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首页> 外文期刊>International journal of RF and microwave computer-aided engineering >High Isolation Microstrip GaN-HEMT Single-FET Switch
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High Isolation Microstrip GaN-HEMT Single-FET Switch

机译：高隔离微带GaN-HEMT单FET开关

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In this contribution an analytical approach to the design of high-isolation microwave transmission line-resonated switches is presented. Simulated and measured performance of a GaN HEMT single-FET switch cell topology and the one of a complete SPDT using the proposed approach are presented to demonstrate the approach feasibility and effectiveness. The resulting SPDT, operating at X Band, is featured by 1 dB insertion loss, isolation better than 37 dB all over the operating bandwidth and a power handling capability higher than 39 dBm.
机译：在这一贡献中，提出了一种用于设计高隔离度微波传输线谐振开关的分析方法。提出了一种GaN HEMT单FET开关单元拓扑的仿真和测量性能以及使用所提出方法的完整SPDT之一，以证明该方法的可行性和有效性。最终的SPDT工作在X波段，具有1 dB的插入损耗，在整个工作带宽内的隔离度均优于37 dB，并且功率处理能力高于39 dBm。

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