【24h】

Empirical nonlinear modeling for RF MOSFETs

机译:RF MOSFET的经验非线性建模

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摘要

A new empirical model with an external substrate network is proposed to simulate the RF nonlinear characteristics of a MOSFET accurately in the wide range of operating bias points. An accurate drain current equation is developed to model the nonlinear transconductance characteristics of a RF MOSFET, and improved nonlinear capacitance equations are used. The values of modeled S_(21) parameters using the new drain current equation show much better agreement with measured ones than those using the conventional formula over the wide bias range, thus verifying the accuracy of the new model.
机译:提出了一种新的具有外部衬底网络的经验模型,以在较大的工作偏置点范围内准确地模拟MOSFET的RF非线性特性。建立了一个精确的漏极电流方程,以建模RF MOSFET的非线性跨导特性,并使用改进的非线性电容方程。在较宽的偏置范围内,使用新的漏电流方程建模的S_(21)参数的值与使用常规公式的参数相比,具有更好的一致性,从而验证了新模型的准确性。

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