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首页> 外文期刊>International journal of simulation: systems, science and technology >Organic field-effect transistors with reversible threshold voltage shifts for memory element
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Organic field-effect transistors with reversible threshold voltage shifts for memory element

机译：具有可逆阈值电压偏移的有机场效应晶体管，用于存储元件

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We introduce an charge-accepting layer on a poly(methyl methacrylate) (PMMA) dielectric to investigate the reversible threshold voltage (V_(th)) shifts in all-polymer n-channel organic field-effect transistor (OFET) using an organic semiconductor of an poly{[N,N'-bis(2-octyldodecyl)-naphthalene-1,4,5,8-bis(dicarboximide)-2, 6-diyl]-alt-5,5'-(2,2'-bithiophene)} (P(NDI2OD-T2)). Top contact drain-source with a bottom-gate contact structure device exhibited a unipolar property with n-channel behavior. Furthermore, the existence of poly(3-hexylthiophene) (P3HT) films as a charge-accepting-like storage layers resulted in a reversible V_(th) shifts upon the application of external gate bias (V_(bias)). Hence, all-polymer organic transistor with the charge-accepting layer exhibited a large memory window (ΔV_(th) = 10.7 V) for write and erase electrically without major degradation in saturation mobility (μ_(sat) = 1.8~2.8×10~(-4) cm~2 V~(-1) s~(-1)).
机译：我们在聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）电介质上引入电荷接受层，以研究使用有机半导体的全聚合物n沟道有机场效应晶体管（OFET）的可逆阈值电压（V_（th））移位聚{[N，N'-双（2-辛基十二烷基）-萘-1,4,5,8-双（二​​甲叉酰亚胺）-2，6-二基] -alt-5,5'-（2,2 '-联噻吩）}（P（NDI2OD-T2））。具有底栅接触结构器件的顶接触漏源表现出具有n沟道行为的单极性特性。此外，作为电荷接受类存储层的聚（3-己基噻吩）（P3HT）薄膜的存在导致在施加外部栅极偏置（V_（bias））时可逆的V_（th）偏移。因此，具有电荷接受层的全聚合物有机晶体管表现出较大的存储窗口（ΔV_（th）= 10.7 V），用于电写入和电擦除，而饱和迁移率（μ_（sat）= 1.8〜2.8×10〜 （-4）cm〜2 V〜（-1）s〜（-1））。

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