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2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference
2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference
召开年:
2019
召开地:
Singapore(SG)
出版时间:
-
会议文集:
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1.
55nm Ultra-low Power (55ULP) Automotive Grade HD SRAM with Sub 0.7V 16Mb Vmin
机译:
具有低于0.7V 16Mb Vmin的55nm超低功耗(55ULP)汽车级高清SRAM
作者:
Thanh Hoa Phung
;
Hari Balan
;
Sriram Balasubramanian
;
Zeng-Yuan Wu
;
Patrick Khoo
;
Chor Shu Cheng
;
Tze Ho Chan
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Random access memory;
MOS devices;
Transistors;
Implants;
Automotive engineering;
Optimization;
Boron;
2.
Effect of Polysilicon Grain Size on Gate Leakage in CMOS Manufacturing
机译:
多晶硅晶粒尺寸对CMOS制造中栅极泄漏的影响
作者:
Q. Y. Kong
;
C. Taher
;
B. N. Bong
;
H. R. Wang
;
Y. Qi
;
H. W. Mook
;
W. H. Tham
;
H. P. Kuan
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Grain size;
Logic gates;
Gate leakage;
Manufacturing;
X-ray scattering;
Correlation;
3.
Suppression of threshold voltage shift on In-Si-O-C Thin-Film Transistor with an Al
2
O
3
Passivation Layer under Negative and Positive Gate-Bias Stress
机译:
负偏置正偏压和Al
2 inf> O
3 inf>钝化层在In-Si-O-C薄膜晶体管上抑制阈值电压偏移
作者:
Kazunori Kurishima
;
Toshihide Nabatame
;
Takashi Onaya
;
Kazuhito Tsukagoshi
;
Akihiko Ohi
;
Naoki Ikeda
;
Takahiro Nagata
;
Atsushi Ogura
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
NIST;
Aluminum oxide;
Electron traps;
Passivation;
Elementary particle vacuum;
Stress;
Vacuum technology;
4.
Integrated Filter and RF Front-end Module on RF SOI
机译:
射频SOI上的集成滤波器和射频前端模块
作者:
Humberto Campanella
;
You Qian
;
Christian Romero
;
Joan J. Giner
;
Rakesh Kumar
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Resonator filters;
Radio frequency;
Insertion loss;
Acoustics;
Switches;
Matched filters;
5G mobile communication;
5.
High Hall-Effect Mobility of Atomic-Layered Polycrystalline-ZrS
2
Film using Sputtering and Sulfur Annealing
机译:
溅射和硫退火的原子层多晶ZrS
2 inf>薄膜的霍尔效应迁移率高
作者:
Masaya Hamada
;
Kentaro Matsuura
;
Takuro Sakamoto
;
Iriya Muneta
;
Takuya Hoshii
;
Kuniyuki Kakushima
;
Kazuo Tsutsui
;
Hitoshi Wakabayashi
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Sputtering;
Sulfur;
Charge carrier density;
Substrates;
Annealing;
Atomic layer deposition;
Metals;
6.
TCAD Analysis of Source-Side Injection Program of FinFET Split-Gate MONOS
机译:
FinFET分栅MONOS源极注入程序的TCAD分析
作者:
Kenichiro Sonoda
;
Eiji Tsukuda
;
Shibun Tsuda
;
Tomohiro Hayashi
;
Yutaka Akiyama
;
Yasuo Yamaguchi
;
Tomohiro Yamashita
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
FinFETs;
Split gate flash memory cells;
Programming;
Mathematical model;
MONOS devices;
Reliability;
Tunneling;
7.
Cell-by-Cell SCR ESD Protection Structures in 28nm CMOS
机译:
28nm CMOS中的逐单元SCR ESD保护结构
作者:
Feilong Zhang
;
Cheng Li
;
Chenkun Wang
;
Mengfu Di
;
Qi Chen
;
Han Wang
;
Haijun Zhao
;
Albert Wang
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Electrostatic discharges;
Layout;
Integrated circuits;
Rectifiers;
Robustness;
Foundries;
Electron devices;
8.
Temperature Dependent Variability Analysis of Threshold Voltage and On-Current for Optimum Switching Performance by Gallium Nitride-based Junctionless FinFET
机译:
基于氮化镓的无结FinFET阈值电压和导通电流的温度相关性可变性分析,以实现最佳开关性能
作者:
S. Mukherjee
;
S. Dutta
;
J. Ghosh
;
D. Saha
;
A. Laha
;
S. Ganguly
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Electron devices;
Manufacturing;
Conferences;
9.
Statistical Simulation to Predict Variability of TANOS Program/Erase Characteristics for Non-Volatile Memory Applications
机译:
统计仿真,预测非易失性存储器应用中TANOS程序/擦除特性的变异性
作者:
Md Zunaid Baten
;
Mondol Anik Kumar
;
Andrea Padovani
;
Luca Larcher
;
Dipankar Pramanik
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
aluminium compounds;
flash memories;
random-access storage;
silicon compounds;
statistical analysis;
10.
Graphene-Based on-Chip ESD Protection
机译:
基于石墨烯的片上ESD保护
作者:
Cheng Li
;
Qi Chen
;
Jimmy Ng
;
Feilong Zhang
;
Han Wang
;
Mengfu Di
;
Chenkun Wang
;
Yahong Xie
;
Albert Wang
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Electrostatic discharges;
Graphene;
Nanoelectromechanical systems;
Switches;
System-on-chip;
Transient analysis;
11.
Impact of Backside Metallization Film Stress on Vce(sat) of Field-stop Trench IGBT
机译:
背面金属化膜应力对场截止沟槽IGBT Vce(sat)的影响
作者:
S. P. Lee
;
David Goh
;
T. F. Lim
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Nickel;
Insulated gate bipolar transistors;
Metallization;
Residual stresses;
Thermal stresses;
12.
Hopping Conduction Temperature Investigations on High Retention Electrochemical Metallization MgO-based Resistive Switching Devices in the Low Resistance State
机译:
低阻态高保留率电化学金属化MgO基电阻开关器件的跳跃传导温度研究
作者:
Desmond Jia Jun Loy
;
Putu Andhita Dananjaya
;
Wai Cheung Law
;
Gerard Joseph Lim
;
Funan Tan
;
Xiao Liang Hong
;
Samuel Chen Wai Chow
;
Eng Huat Toh
;
Wen Siang Lew
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Switches;
Performance evaluation;
Resistance;
Nonvolatile memory;
Physics;
Reliability;
Memory management;
13.
Steep Subthreshold Slope below 60mV/dec in Junctionless SOI Transistors at Low Drain Voltage of 50mV
机译:
无漏极SOI晶体管在50mV的低漏极电压下的陡峭亚阈值斜率低于60mV / dec
作者:
Min-Ju Ahn
;
Kiyoshi Takeuchi
;
Takuya Saraya
;
Masaharu Kobayashi
;
Toshiro Hiramoto
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Transistors;
Hysteresis;
Logic gates;
Amplitude modulation;
Impact ionization;
Silicon;
14.
Channel-Stacked NAND Flash Memory with High-κ Charge Trapping Layer for High Scalability
机译:
具有高κ电荷陷阱层的通道堆叠NAND闪存,具有高可扩展性
作者:
Joo Yun Seo
;
Yoon Kim
;
Sang-Ho Lee
;
Daewoong Kwon
;
Hee-Do Na
;
Hyun Chul Sohn
;
JongHo Lee
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Flash memories;
Programming;
Hafnium compounds;
Three-dimensional displays;
Logic gates;
Electron devices;
Scalability;
15.
Synthesis of nitrogen-doped multilayer graphene film by solid-phase deposition using Co-N catalyst
机译:
Co-N催化剂固相沉积合成氮掺杂多层石墨烯薄膜
作者:
Yuki Fujishima
;
Kazuyoshi Ueno
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Doping;
Catalysis;
Resistance;
Annealing;
Graphene;
Nitrogen;
Nonhomogeneous media;
16.
Spin-Orbit Torque Driven Multi-State Device for Memory Applications
机译:
自旋轨道转矩驱动的多态设备,用于存储器应用
作者:
Selma Amara
;
Ulan Myrzakhan
;
Abdulmohsen Alsaui
;
Meshal Alawein
;
Hossein Fariborzi
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Magnetic tunneling;
Magnetization;
Resistance;
Switches;
Electrical resistance measurement;
Writing;
Magnetic anisotropy;
17.
Samung Fan-out Panel Level Package Solutions
机译:
三星扇出面板级封装解决方案
作者:
Yonghoon Kim
;
Doohwan Lee
;
Youngsik Hur
;
Jungsoo Byun
;
Taeje Cho
;
Sayoon Kang
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Packaging;
Glass;
Electron devices;
Industries;
Next generation networking;
Process control;
18.
A Novel High Performance Lateral AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode Using Highly Effective Field Plate with Polarization Enhanced Channel
机译:
新型高性能横向AlGaN / GaN肖特基势垒二极管,采用具有极化增强沟道的高效场板
作者:
Zeheng Wang
;
Xuewei Feng
;
Di Yang
;
Chao Chen
;
Zirui Wang
;
Xinghuan Chen
;
Chunpeng Wang
;
Shengji Wang
;
Jun Cao
;
Yuanzhe Yao
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Anodes;
HEMTs;
MODFETs;
Indium;
Schottky barriers;
19.
Yield and Reliability Challenges at 7nm and Below
机译:
7nm及以下工艺的良率和可靠性挑战
作者:
Andrzej J. Strojwas
;
Kelvin Doong
;
Dennis Ciplickas
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Metals;
Layout;
Manufacturing;
Reliability engineering;
Systematics;
20.
Synthesis of Two-Dimensional Diamond From Graphene on Copper
机译:
铜上石墨烯合成二维金刚石
作者:
Ashok Srivastava
;
Md Shamiul Fahad
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Diamond;
Graphene;
Copper;
Nonhomogeneous media;
Substrates;
Optical films;
Two dimensional displays;
21.
Technologies Toward Three-Dimensional Brain-Mimicking IC Architecture
机译:
面向三维仿脑IC架构的技术
作者:
Albert Chin
;
You-Da Chen
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Integrated circuits;
Three-dimensional displays;
MOSFET;
Performance evaluation;
22.
A Computational Performance Evaluation of Negative-Capacitance MOSFETs based on Ultra-thin body Silicon and Monolayer MoS
2
机译:
基于超薄体硅和单层MoS
2 inf>的负电容MOSFET的计算性能评估
作者:
Sheng Luo
;
Xiaoyi Zhang
;
Gengchiau Liang
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Electron devices;
Manufacturing;
Conferences;
23.
Modeling of Channel Current in Sub-threshold Region for Poly-Si based Macaroni Structure in 3D NAND Flash Memories
机译:
3D NAND闪存中基于多晶硅的通心面结构在亚阈值区域中的沟道电流建模
作者:
Juhyun Kim
;
Ilho Myeong
;
Minsoo Kim
;
Sungbak Kim
;
Myounggon Kang
;
Jongwook Jeon
;
Hyungcheol Shin
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Three-dimensional displays;
Flash memories;
Solid modeling;
Current measurement;
Voltage measurement;
Logic gates;
Grain boundaries;
24.
EDMOSFET Switching Device using Metal Field Plate Design
机译:
采用金属场板设计的EDMOSFET开关器件
作者:
Ashvini Gyanathan
;
Yunpeng Xu
;
Amitha Susan Eapen
;
Appu Mathew Varkey
;
Ming Li
;
Jeoung Mo Koo
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Switches;
Performance evaluation;
Metals;
MOSFET;
Implants;
Tuning;
25.
A Feasibility Study on Ferroelectric Shadow SRAMs Using a New Variability Design Scheme
机译:
使用新的可变性设计方案的铁电阴影SRAM的可行性研究
作者:
Kiyoshi Takeuchi
;
Masaharu Kobayashi
;
Toshiro Hiramoto
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Iron;
Transistors;
Capacitors;
SRAM cells;
Scalability;
Delays;
26.
Electroplating of Through Silicon Vias: A Kinetic Monte Carlo Model
机译:
硅通孔的电镀:动力学蒙特卡洛模型
作者:
Lai MingRui
;
Ramanarayan Hariharaputran
;
Khoong Hong Khoo
;
Jin Hongmei
;
Shunnian Wu
;
Chaitanya Amol Joshi
;
Kodanda Ram Mangipudi
;
Siu Sin Quek
;
David T. Wu
;
Sridhar Narayanaswamy
;
Bharathi Madurai Srinivasan
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Through-silicon vias;
Additives;
Ions;
Substrates;
Kinetic theory;
Filling;
Monte Carlo methods;
27.
Growth and characterization of in-plane heterostructures based on two-dimensional materials
机译:
基于二维材料的面内异质结构的生长和表征
作者:
Yu Kobayashi
;
Shoji Yoshida
;
Mina Maruyama
;
Kota Murase
;
Yutaka Maniwa
;
Osamu Takeuchi
;
Susumu Okada
;
Hidemi Shigekawa
;
Yasumitsu Miyata
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Metals;
Atomic layer deposition;
Molybdenum;
Microscopy;
Heterojunctions;
Sulfur;
Substrates;
28.
Interconnects Electrical Parametric Variability Control for Automotive Manufacturing
机译:
用于汽车制造的互连电参数可变性控制
作者:
Kwang Sing Yew
;
Ramasamy Chockalingam
;
Choon Gay Lee
;
Jasper Goh
;
Baozhuo Chen
;
Xiaochong Guan
;
Rex Hsu
;
Juan Boon Tan
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Process control;
Resistance;
Integrated circuit interconnections;
Automotive engineering;
Manufacturing;
Copper;
Correlation;
29.
Improved Modeling of LDMOS with Non-Uniform Lateral Channel Doping
机译:
具有非均匀横向沟道掺杂的LDMOS的改进建模
作者:
Kejun Xia
;
Colin C. McAndrew
;
Ronald van Langevelde
;
Geert D. J. Smit
;
Andries J. Scholten
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Transistors;
Semiconductor process modeling;
Integrated circuit modeling;
Logic gates;
Doping;
Clamps;
Capacitance;
30.
Binary and ternary convolutional neural network acceleration by in-nonvolatile memory computing with Voltage Control Spintronics Memory (VoCSM)
机译:
通过电压控制自旋电子存储器(VoCSM)的非易失性存储器计算实现二元和三元卷积神经网络加速
作者:
K. Ikegami
;
T. Inokuchi
;
S. Fujita
;
S. Takaya
;
N. Shimomura
;
S. Takeda
;
Y. Ohsawa
;
Y. Kato
;
K. Koi
;
S. Shirotori
;
M. Shimizu
;
H. Sugiyama
;
S. Oikawa
;
B. Altansargai
;
H. Yoda
;
A. Kurobe
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Throughput;
Random access memory;
Voltage control;
Magnetic tunneling;
Convolution;
Nonvolatile memory;
Magnetization;
31.
RF and Power GaN HEMTs on 200 mm-Diameter 725 μm-Thick p-Si Substrates
机译:
在200 mm直径725μm厚的p-Si衬底上的RF和功率GaN HEMT
作者:
Zhihong Liu
;
Weichuan Xing
;
Geok Ing Ng
;
Eugene A. Fitzgerald
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Substrates;
Gallium nitride;
HEMTs;
MODFETs;
Radio frequency;
Silicon;
Logic gates;
32.
Characterization of the Grain-Boundary Free (100) Si Thin-Films Obtained by CW-Laser-Lateral Crystallization at Room Temperature in Air
机译:
室温空气中连续激光横向结晶获得的晶界自由(100)Si薄膜的表征
作者:
Nobuo Sasaki
;
Muhammad Arif
;
Yukiharu Uraoka
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Silicon;
Crystallization;
Thin film transistors;
Laser beams;
Substrates;
Power lasers;
33.
An Approach for Optimizing Yield of Embedded Memories on Mobile SoC Chips
机译:
一种优化移动SoC芯片上嵌入式存储器良率的方法
作者:
V. Simhadri
;
N. Agrawal
;
B. Talatam
;
H. Kim
;
T. Schink
;
R. Kuse
;
M. W. Chai
;
J. Kim
;
A. Lazaryan
;
P. Lin
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Maintenance engineering;
Fingerprint recognition;
Random access memory;
Production;
Failure analysis;
Data analysis;
Silicon;
34.
A unified charge-current compact model of gallium nitride transistors for RF and digital applications
机译:
用于射频和数字应用的氮化镓晶体管的统一电荷电流紧凑模型
作者:
Kexin Li
;
Shaloo Rakheja
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
HEMTs;
MODFETs;
Computational modeling;
Data models;
Capacitance;
35.
Differentiated Foundry Solutions for a Connected Future
机译:
面向未来的差异化代工解决方案
作者:
Gary Patton
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Radio frequency;
FinFETs;
Silicon;
Packaging;
Optical fiber amplifiers;
Optical fiber devices;
Optical fiber networks;
36.
Enhanced DC and RF performance of AlGaN/GaN HEMTs on CVD-Diamond in high power CW operation
机译:
在大功率连续波操作中,在CVD金刚石上增强了AlGaN / GaN HEMT的DC和RF性能
作者:
K. Ranjan
;
Ng Geok Ing
;
S. Arulkumaran
;
S. Vicknesh
;
S. C. Foo
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
HEMTs;
MODFETs;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Radio frequency;
Substrates;
Density measurement;
37.
Evaluation of Standard Cell Architecture in 12LP FinFET Technology
机译:
12LP FinFET技术中标准单元架构的评估
作者:
Navneet Jain
;
Palanivel Balasubramaniam
;
Ram Asra
;
Shibly Ahmed
;
Juhan Kim
;
Jeff Kim
;
Sunil Machha
;
Venkata Naresh Mudhireddy
;
Luke Lee
;
Ravi Todi
;
Mahbub Rashed
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Computer architecture;
Standards;
Microprocessors;
Layout;
FinFETs;
Silicon;
38.
Fabrication of MoS
2(1-x)
Te
2x
via Sulfurization using (t-C
4
H
9
)
2
S
2
and its Physical Structure Evaluation
机译:
使用(tC
4 inf> H
9 inf>)
2(1-x) inf> Te
2x inf> > 2 inf> S
2 inf>及其物理结构评价
作者:
Yusuke Hibino
;
Seiya Ishihara
;
Yuya Oyanagi
;
Kota Yamazaki
;
Yusuke Hashimoto
;
Naomi Sawamoto
;
Hideaki Machida
;
Masato Ishikawa
;
Hiroshi Sudoh
;
Hitoshi Wakabayashi
;
Atsushi Ogura
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Fabrication;
Metals;
Molybdenum;
Sulfur;
Sputtering;
X-ray scattering;
Raman scattering;
39.
Semi-classical modeling of nanoscale nMOSFETs with III-V channel
机译:
具有III-V通道的纳米级nMOSFET的半经典建模
作者:
Pierpaolo Palestri
;
Enrico Caruso
;
Oves Badami
;
Francesco Driussi
;
David Esseni
;
Luca Selmi
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
MOSFET;
Scattering;
Nanoscale devices;
Semiconductor device modeling;
Quantization (signal);
Silicon;
Ions;
40.
Accurate Effective Width Extraction Methods for Sub-lOnm Multi-Gate MOSFETs through Capacitance Measurement
机译:
通过电容测量的用于亚伦姆多栅极MOSFET的准确有效宽度提取方法
作者:
Soyoun Kim
;
Sihyun Kim
;
Kitae Lee
;
Munhyeon Kim
;
Ryoongbin Lee
;
Sangwan Kim
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Capacitance;
Logic gates;
FinFETs;
Performance evaluation;
Shape;
Very large scale integration;
41.
150 nm × 200 nm cross point hexagonal boron nitride based memristors with ultra-low currents in high resistive state
机译:
150 nm×200 nm交叉点六角形氮化硼基忆阻器,具有高阻态的超低电流
作者:
X. Liang
;
B. Yuan
;
Y. Shi
;
F. Palumbo
;
S. Chen
;
F. Hui
;
X. Jing
;
M. A. Villena
;
M. Lanza
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Memristors;
Scanning electron microscopy;
Electrodes;
Switches;
Two dimensional displays;
Fabrication;
42.
Overview of interconnect technology for 7nm node and beyond - New materials and technologies to extend Cu and to enable alternative conductors (invited)
机译:
7纳米及以上节点的互连技术概述-扩展铜并启用替代导体的新材料和技术(受邀)
作者:
Takeshi Nogami
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Reliability;
Conductors;
Metallization;
Manganese;
Conductivity;
Electron devices;
43.
Evaluation of strain distribution in SiGe nanoshells/Si created by proximal Ge nanospheres using nanobeam electron diffraction
机译:
使用纳米束电子衍射评估近端Ge纳米球在SiGe纳米壳/ Si中产生的应变分布
作者:
Chia-Tsong Chen
;
Kang-Ping Peng
;
Horng-Chih Lin
;
Tom George
;
Pei-Wen Li
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Germanium;
Silicon;
Silicon germanium;
Substrates;
Oxidation;
Strain;
Lattices;
44.
Improving BSIM Flicker Noise Model
机译:
改进BSIM闪烁噪声模型
作者:
Youngsoo Seo
;
Changbeom Woo
;
Myunghee Lee
;
Myounggon Kang
;
Jongwook Jeon
;
Hyungcheol Shin
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Data models;
1f noise;
Mathematical model;
Semiconductor device modeling;
Density measurement;
Voltage measurement;
45.
New Insights into Dielectric Breakdown of MgO in STT-MRAM Devices
机译:
STT-MRAM器件中MgO介电击穿的新见解
作者:
Kin Leong Pey
;
Jia Hao Lim
;
Nagarajan Raghavan
;
Sen Mei
;
Jae Hyun Kwon
;
Vinayak Bharat Naik
;
Kazutaka Yamane
;
Hyunwoo Yang
;
Kangho Lee
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Magnetic tunneling;
Stress;
Dielectric breakdown;
Market research;
Current density;
Hafnium compounds;
46.
Electrochemical Oxidation in AlGaN/GaN-on-Si High Electron Mobility Transistors
机译:
AlGaN / GaN-on-Si高电子迁移率晶体管中的电化学氧化
作者:
C. L. Gan
;
W. A. Sasangka
;
C. V. Thompson
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Reliability;
Electron devices;
Manufacturing;
Degradation;
Correlation;
Piezoelectric devices;
Stress;
47.
Advanced Packaging Drivers/Opportunities to Support Emerging Artificial Intelligence Applications
机译:
支持新兴人工智能应用程序的高级封装驱动程序/机会
作者:
Luke England
;
Eric Tremble
;
Igor Arsovski
;
Wolfgang Sauter
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Packaging;
Artificial intelligence;
Random access memory;
Three-dimensional displays;
Bandwidth;
Wiring;
Through-silicon vias;
48.
The Scaling of Cu-Cu Hybrid Bonding For High Density 3D Chip Stacking
机译:
用于高密度3D芯片堆叠的Cu-Cu杂化键结的缩放
作者:
Y. Kagawa
;
S. Hida
;
Y. Kobayashi
;
K. Takahashi
;
S. Miyanomae
;
M. Kawamura
;
H. Kawashima
;
H. Yamagishi
;
T. Hirano
;
K. Tatani
;
H. Nakayama
;
K. Ohno
;
H. Iwamoto
;
S. Kadomura
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Bonding;
Three-dimensional displays;
Semiconductor device reliability;
Stacking;
CMOS image sensors;
Wafer bonding;
49.
Material design of oxide-semiconductor/group-IV-semiconductor bilayer tunneling field effect transistors
机译:
氧化物半导体/ IV族半导体双层隧穿场效应晶体管的材料设计
作者:
Kimihiko Kato
;
Hiroaki Matsui
;
Hitoshi Tabata
;
Mitsuru Takenaka
;
Shinichi Takagi
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
TFETs;
Tunneling;
Ions;
Temperature dependence;
Zinc oxide;
II-VI semiconductor materials;
Logic gates;
50.
Module/SiP Packaging Trends
机译:
模块/ SiP封装趋势
作者:
Milind Shah
;
Rajneesh Kumar
;
Chin-Kwan Kim
;
Manuel Aldrete
;
Ahmer Syed
;
Piyush Gupta
;
Ryan Lane
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Mobile handsets;
Integrated circuits;
5G mobile communication;
Complexity theory;
Manufacturing;
Performance evaluation;
Market research;
51.
Hysteretic Behavior of PGP FDSOI NCFETs with Hafnium Oxide based Ferroelectrics
机译:
基于氧化铁电体的PGP FDSOI NCFET的磁滞行为
作者:
Shruti Mehrotra
;
S. Qureshi
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Silicon-on-insulator;
Logic gates;
Performance evaluation;
Ring oscillators;
MOSFET;
Capacitance;
52.
Impact of Switching Window on Endurance Degradation in Analog RRAM
机译:
切换窗口对模拟RRAM中耐久力下降的影响
作者:
Meiran Zhao
;
Huaqiang Wu
;
Bin Gao
;
Yuyi Liu
;
Peng Yao
;
Yue Xi
;
Wei Wu
;
Xinyi Li
;
Qingtian Zhang
;
Ning Deng
;
He Qian
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Switches;
Microsoft Windows;
Resistance;
Degradation;
Electrical resistance measurement;
Neuromorphics;
Logic gates;
53.
Doping effect of S
2
Orbital Metal on Amorphous In-Zn-O and Its Application for Printable Transparent Thin-film Transistors (TFT)
机译:
S
2 sup>轨道金属对非晶In-Zn-O的掺杂效应及其在可印刷透明薄膜晶体管(TFT)中的应用
作者:
Dong Liu
;
Haojie Wu
;
Wenjun Xie
;
Bing Chen
;
Ran Cheng
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Thin film transistors;
Doping;
Metals;
Performance evaluation;
Orbits;
Extraterrestrial measurements;
Threshold voltage;
54.
Micro-fabricated Surface Electrode Ion Trap with 3D-TSV Integration for Scalable Quantum Computing
机译:
具有3D-TSV集成的微制造表面电极离子阱,可扩展量子计算
作者:
Jing Tao
;
Luca Guidoni
;
Hong Yu Li
;
Lin Bu
;
Nam Piau Chew
;
Chuan Seng Tan
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Ions;
Through-silicon vias;
Electrodes;
Electron traps;
Geometry;
Silicon;
Radio frequency;
55.
Yield Challenges and Innovative Inspection Metrology Solutions for Sub-10nm Manufacturing
机译:
10纳米以下制造的产量挑战和创新的检测与计量解决方案
作者:
Hardy Chen
;
Chet Lenox
;
Barry Saville
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Inspection;
Metrology;
Monitoring;
Ultraviolet sources;
Signal to noise ratio;
Manufacturing;
Semiconductor device modeling;
56.
Low Dimensional Transition Metal Dichalchogenides FETs Enabled Photosensitive Inverters for IoT Sensor Applications with High Noise Immunity
机译:
适用于具有高抗扰性的IoT传感器应用的低尺寸过渡金属Dichalchogenides FET启用的光敏逆变器
作者:
Seung Gi Seo
;
Seung Yeob Kim
;
Sung Hun Jin
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Inverters;
Molybdenum;
Sulfur;
Field effect transistors;
Gallium nitride;
Voltage measurement;
57.
Low Temperature and Fast Growth of Polycrystalline MoS
2
Films using Low Temperature Sublimation Sources
机译:
低温升华源的低温和多晶MoS
2 inf>薄膜的快速生长
作者:
Henry Medina
;
Shi Wun Tong
;
Carlos Manzano
;
Wugang Liao
;
Weifeng Yang
;
Lee Kheng Tan
;
Weng Weei Tjiu
;
Chunxiang Zhu
;
DongZhi Chi
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Molybdenum;
Sulfur;
Films;
Two dimensional displays;
Substrates;
Temperature;
Photonic band gap;
58.
Novel on-chip high-Q power inductor for high-efficient PowerSoC Applications
机译:
适用于高效PowerSoC应用的新型片上高Q功率电感器
作者:
Lulu Peng
;
Salahuddin Raju
;
Don Disney
;
Lawrence Selvaraj
;
Zishan Ali Syed Mohammed
;
Serine Soh
;
Chui King Jien
;
Ravinder Pal Singh
;
Chor Shu Cheng
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Inductors;
System-on-chip;
Magnetic cores;
Q-factor;
Inductance;
Solenoids;
Electron devices;
59.
Low Temperature Plasma Process for Si/SiGe Dual Channel Fin Application
机译:
Si / SiGe双通道鳍片应用的低温等离子体工艺
作者:
Yohei Ishii
;
Yao-Jen Lee
;
Wen-Fa Wu
;
Kenji Maeda
;
Hiroaki Ishimura
;
Makoto Miura
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Silicon;
Silicon germanium;
Plasmas;
Hydrogen;
Surface treatment;
Germanium;
Ions;
60.
Active Silicon Interposer for Heterogeneous Integration: System Scaling and Cost Effectiveness
机译:
异构集成的有源硅中介层:系统扩展和成本效益
作者:
Vivek Chidambaram
;
Jayabalan Jayasanker
;
Sharon Lim Pei Siang
;
Wang Xiang Yu
;
V. N. Sekhar
;
Surya Bhattacharya
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Through-silicon vias;
Reliability;
Field programmable gate arrays;
Silicon;
Bonding;
Electrostatic discharges;
61.
A3-D Simulation Model and Study of Priming Effect for Phase Change Memory
机译:
相变存储器的A3-D仿真模型与启动效应研究
作者:
Deqi Dong
;
Huifang Hu
;
Dayong Liu
;
Xinnan Lin
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Crystallization;
Computational modeling;
Solid modeling;
Phase change materials;
Phase change memory;
Heating systems;
Conductivity;
62.
First Experimental Confirmation of Transient Effect on Super Steep SS “PN-Body Tied SOI FET” with Pulse Measurements
机译:
通过脉冲测量对超陡峭SS“ PN体束缚SOI FET”的瞬态效应的首次实验确认
作者:
Hiroki Endo
;
Jiro Ida
;
Takayuki Mori
;
Koichiro Ishibashi
;
Yasuo Arai
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Delays;
Voltage measurement;
Pulse measurements;
Current measurement;
Logic gates;
Field effect transistors;
63.
Improvement of material quality of (100) and (111) Ge-on-insulator substrates fabricated by smart-cut technology
机译:
通过智能切割技术提高(100)和(111)绝缘体上Ge衬底的材料质量
作者:
Cheol-Min Lim
;
Mitsuru Takenaka
;
Shinichi Takagi
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Annealing;
Germanium;
Substrates;
MOSFET;
Rough surfaces;
Surface roughness;
Surface treatment;
64.
Simulation Study of 4H-SiC Trench MOSFETs with Various Gate Structures
机译:
各种栅极结构的4H-SiC沟道MOSFET的仿真研究
作者:
Jheng-Yi Jiang
;
Chih-Fang Huang
;
Tian-Li Wu
;
Feng Zhao
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Switches;
Doping;
MOSFET;
Split gate flash memory cells;
Electric fields;
Silicon carbide;
65.
Development of trilayer mask etching for fabrication of high aspect ratio structures
机译:
用于制造高深宽比结构的三层掩模蚀刻的开发
作者:
Vladimir Bliznetsov
;
Kelvin Loh Wei Loong
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Etching;
Chemistry;
Silicon;
Plasmas;
Optics;
Fabrication;
Microelectronics;
66.
Nearly Reversible Threshold Voltage Shifts with Low-Voltage Bias Stress in Solution-Processed In
2
O
3
Thin-Film Transistors
机译:
溶液处理的In
2 inf> O
3 inf>薄膜晶体管中具有低压偏置应力的几乎可逆阈值电压漂移
作者:
Tao Song
;
Tianshi Zhao
;
Yuxiao Fang
;
Chun Zhao
;
Cezhou Zhao
;
Sang Lam
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Thin film transistors;
NIST;
Logic gates;
Threshold voltage;
Stress;
Thermal stability;
67.
Linkages between grain structure and protrusion of TSV in 3D packaging
机译:
3D包装中晶粒结构与TSV突起之间的联系
作者:
Jinxin Liu
;
Zhiheng Huang
;
Paul P. Conway
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Through-silicon vias;
Grain size;
Three-dimensional displays;
Grain boundaries;
Load modeling;
Packaging;
Manufacturing;
68.
Comparison of Experimentally Extracted Top and Edge Contact Resistivity by TLM Structure with Two-step Sulfurization Nb-Doped MoS
2
机译:
两步硫化Nb掺杂MoS
2 inf>的TLM结构比较实验提取的顶部和边缘接触电阻率
作者:
Chi-Feng Li
;
Yun-Yan Chung
;
Chao-Ting Lin
;
Yen-Teng Ho
;
Chao-Hsin Chien
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Conductivity;
Two dimensional displays;
Image edge detection;
Molybdenum;
Sulfur;
Resistance;
Metals;
69.
Enabling manufacturing of sub-10nm generations of integrated circuits with EUV lithography
机译:
利用EUV光刻技术制造10纳米以下的集成电路
作者:
Anthony Yen
;
Hans Meiling
;
Jos Benschop
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Ultraviolet sources;
Extreme ultraviolet lithography;
Throughput;
Resists;
Imaging;
70.
Copper (II) Phthalocyanine based Organic Field-Effect Transistors for UV Photo-detection
机译:
基于铜(II)酞菁的有机场效应晶体管,用于紫外光检测
作者:
Vivek Raghuwanshi
;
Ajay Kumar Mahato
;
Deepak Bharti
;
Ishan Varun
;
Shree Prakash Tiwari
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
OFETs;
Threshold voltage;
Performance evaluation;
Radiation effects;
Lighting;
Organic semiconductors;
Absorption;
71.
Design and Modeling of A Photodiode-Body-Biased MOSFET on A Silicon Sphere for Photon Counting
机译:
硅球上用于光子计数的光电二极管基极偏置MOSFET的设计与建模
作者:
Yihong Qi
;
Yitong Xu
;
Xianda Zhou
;
Kai Wang
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Silicon;
Photonics;
MOSFET;
Dynamic range;
Detectors;
Photodetectors;
Electric potential;
72.
A new device characteristic model generation by machine learning
机译:
通过机器学习生成新的设备特征模型
作者:
Min-Hye Oh
;
Suhyun Bang
;
Min-Woo Kwon
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Machine learning;
Data models;
Neural networks;
Logic gates;
Shape;
Integrated circuit modeling;
Computational modeling;
73.
An ultra-low power 3-terminal memory device with write capability in the off-state
机译:
超低功耗3端子存储设备,在关闭状态下具有写功能
作者:
Xiaoyao Song
;
Ashwani Kumar
;
Maria Merlyne De Souza
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Power demand;
Switches;
Writing;
Current measurement;
Performance evaluation;
Resistance;
74.
3D System Integration in a Package for Artificial Intelligence
机译:
人工智能软件包中的3D系统集成
作者:
Tadahiro Kuroda
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Computers;
Hardware;
Very large scale integration;
Artificial intelligence;
Stacking;
Three-dimensional displays;
Neural networks;
75.
Analysis on Fully Depleted Negative Capacitance Field-Effect Transistor (NCFET) Based on Electrostatic Potential Difference
机译:
基于静电势差的全耗尽型负电容场效应晶体管(NCFET)分析
作者:
Kitae Lee
;
Junil Lee
;
Sihyun Kim
;
Soyoun Kim
;
Munhyeon Kim
;
Sangwan Kim
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Capacitance;
MOSFET;
Hysteresis;
Electric potential;
Electrostatics;
76.
Fundamental study on reducing on-resistance by introducing strain into silicon vertical power devices
机译:
通过在硅垂直功率器件中引入应变来降低导通电阻的基础研究
作者:
Takeya Inoue
;
Takuya Hoshii
;
Takuo Kikuchi
;
Hidehiko Yabuhara
;
Kazuyuki Ito
;
Kuniyuki Kakushima
;
Hitoshi Wakabayashi
;
Hiroshi Iwai
;
Junichi Tonotani
;
Kazuo Tsutsui
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Strain;
Stress;
Silicon;
Piezoresistance;
Surface resistance;
Conductivity;
77.
AlGaN/GaN HEMT grown on SiC with carbon doped GaN buffer by MOCVD
机译:
通过CVD法在掺碳GaN缓冲层的SiC上生长AlGaN / GaN HEMT
作者:
Nethaji Dharmarasu
;
Giri. S. Karthikeyan
;
Manvi Agrawal
;
Seah Tian Long Alex
;
K. Radhakrishnan
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Carbon;
Gallium nitride;
HEMTs;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
Doping;
Leakage currents;
78.
Robust ESD Implanted 5V GGNMOS Clamp Design and Process optimization with maximized ESD Design Window
机译:
具有最大ESD设计窗口的强大ESD植入5V GGNMOS钳位设计和工艺优化
作者:
Prantik Mahajan
;
Satya Suresh
;
Alfred Quah
;
Fransiscus Rivai
;
Ruchil Jain
;
Upinder Singh
;
Robert Gauthier
;
Kyong Jin Hwang
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Electrostatic discharges;
Implants;
Clamps;
Transient analysis;
Logic gates;
Robustness;
Optimization;
79.
Effects of Drift Layer Thicknesses in Reverse Conduction Mechanism on Vertical GaN-on-GaN SBDs grown by MOCVD
机译:
反向导电机理中漂移层厚度对MOCVD生长的垂直GaN-on-GaN SBD的影响
作者:
S. Abhinay
;
S. Arulkumaran
;
G.I. Ng
;
K. Ranjan
;
M. Deki
;
S. Nitta
;
Y. Honda
;
H. Amano
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Gallium nitride;
Temperature measurement;
Current measurement;
Semiconductor device measurement;
Leakage currents;
Tunneling;
Thermionic emission;
80.
Combining Perpendicular and Shape Anisotropy for Optimal Switching of Advanced Spin-Orbit Torque Memory Cells
机译:
结合垂直和形状各向异性对高级自旋轨道扭矩记忆单元进行最佳切换
作者:
Viktor Sverdlov
;
Siegfried Selberherr
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Electron devices;
Manufacturing;
Conferences;
81.
Performance Improvement of RGO/MnO_2 Nanoflower Hybrid Structure for Vapor Sensing Applications by Comparing with its Pristine Counterpart
机译:
与其原始配对物相比,RGO / MnO_2纳米花杂化结构在蒸气感测应用中的性能改进
作者:
Sanghamitra Ghosal
;
Partha Bhattacharyya
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Nanostructures;
Sensors;
Methanol;
Time factors;
Three-dimensional displays;
Two dimensional displays;
Nanoscale devices;
82.
Low Temperature Epitaxy grown AlN Metal-Insulator-Semiconductor Diodes on AlGaN/GaN HEMT structure
机译:
AlGaN / GaN HEMT结构上的低温外延生长的AlN金属-绝缘体-半导体二极管
作者:
M. Whiteside
;
G. I. Ng
;
S. Arulkumaran
;
K. Ranjan
;
Y. Dikme
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Aluminum nitride;
III-V semiconductor materials;
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
HEMTs;
Passivation;
Schottky diodes;
83.
A review of the full 500°C low temperature technological modules development for high performance and reliable 3D Sequential Integration
机译:
完整的500°C低温技术模块开发概述,以实现高性能和可靠的3D顺序集成
作者:
C. Fenouillet-Beranger
;
L. Brunet
;
P. Batude
;
F. Andrieu
;
J. Micout
;
B. Previtali
;
J-M. Pedini
;
V. Mazzocchi
;
P. Acosta-Alba
;
S. Kerdilès
;
V. Beugin
;
C. Guerin
;
C. Vizioz
;
F. Ponthenier
;
N. Rambal
;
M. Casse
;
X. Garros
;
S. Chevalliez
;
F. Aussenac
;
M. Vinet
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Epitaxial growth;
Plasma temperature;
Silicon;
Logic gates;
Three-dimensional displays;
Annealing;
Silicon-on-insulator;
84.
Advanced Metrology and Single Reaction Control for Future Scaling
机译:
先进的计量和单反应控制,可在将来扩展
作者:
Masaru Kurihara
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Three-dimensional displays;
Etching;
Metrology;
Atomic layer deposition;
Atomic measurements;
Semiconductor device measurement;
85.
Device Design and Material Considerations of Ovonic Threshold Switch (OTS) for Cross-point MRAM Array
机译:
跨点MRAM阵列的Ovonic门限开关(OTS)的器件设计和材料考虑
作者:
Jiyong Woo
;
Shimeng Yu
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Resistance;
Random access memory;
Threshold voltage;
Switches;
Thermal stability;
Very large scale integration;
Stability analysis;
86.
Stress optimization of AlN buffer in AlN/GaN/AlN Quantum well for DH-HEMT on SiC by PA-MBE
机译:
PA-MBE在SiC上进行DH-HEMT的AlN / GaN / AlN量子阱中AlN缓冲的应力优化
作者:
Shashank Patwal
;
Manvi Agrawal
;
Nethaji Dharmarasu
;
K. Radhakrishnan
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Aluminum nitride;
III-V semiconductor materials;
Surface morphology;
HEMTs;
MODFETs;
Buffer layers;
Substrates;
87.
Noise Propagation through TSV in Mixed-Signal 3D-IC and Investigation of Liner Interface with Multi-Well Structured TSV
机译:
TSV在混合信号3D-IC中的噪声传播以及多层结构TSV的内衬界面研究
作者:
Hisashi Kino
;
Takafumi Fukushima
;
Tetsu Tanaka
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Through-silicon vias;
Charge pumps;
Current measurement;
Digital circuits;
Substrates;
Analog circuits;
Interface states;
88.
Variability in the Characteristics of InGaAsSb/InAs Tunnel FETs Caused by Dopant-induced Traps
机译:
掺杂物引起的陷阱引起的InGaAsSb / InAs隧道FET特性的变化
作者:
S. Sant
;
Q. Ding
;
M. Rau
;
M. Luisier
;
A. Schenk
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
TFETs;
Energy states;
Histograms;
Metals;
Semiconductor process modeling;
Discrete Fourier transforms;
Electron traps;
89.
The Effects of Realistic U-shaped Source /Drain on DC/AC Performances of Silicon Nanosheet FETs for Sub 5-nm Node SoC Applications
机译:
逼真的U形源极/漏极对低于5nm节点SoC应用的硅纳米片FET的DC / AC性能的影响
作者:
Jinsu Jeong
;
Jun-Sik Yoon
;
Seunghwan Lee
;
Rock-Hyun Baek
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Ions;
Stress;
Delays;
Field effect transistors;
Epitaxial growth;
Logic gates;
90.
Physics and Modeling of Two-dimensional (2D) RF Transistors and Photodetectors
机译:
二维(2D)射频晶体管和光电探测器的物理与建模
作者:
Saurabh Lodha
;
Kartikey Thakar
;
Sukhwinder Singh
;
Bablu Mukherjee
;
Naveen Kaushik
;
Sameer Grover
;
Bhaskaran Muralidharanl
;
Mandar Deshmukh
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Photodetectors;
Two dimensional displays;
Radio frequency;
Transistors;
Logic gates;
Molybdenum;
Time factors;
91.
Compact Modeling for Leading-Edge Thin-Layer MOSFETs with Additional Applicability in Device optimization toward Suppressed Short-Channel Effects
机译:
先进的薄层MOSFET的紧凑模型,在器件优化中对抑制短沟道效应具有额外的适用性
作者:
Fernando Avila Herrera
;
Yoko Hirano
;
Takahiro Iizuka
;
Mitiko Miura-Mattausch
;
Hideyuki Kikuchihara
;
Dondee Navarro
;
Hans Jürgen Mattausch
;
Akira Ito
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Electric potential;
Integrated circuit modeling;
Semiconductor device modeling;
Substrates;
Mathematical model;
MOSFET;
Optimization;
92.
Plasma Oxidized Suspended Core-Shell Nanostructures for High Performance Metal Oxide Gas sensors
机译:
用于高性能金属氧化物气体传感器的等离子氧化悬浮核壳纳米结构
作者:
Samatha Benedict
;
Navakanta Bhat
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Plasmas;
Gas detectors;
Nanostructures;
Oxidation;
Temperature sensors;
Metals;
93.
Improving the drive current of AlGaN/GaN HEMT using external strain engineering
机译:
使用外部应变工程提高AlGaN / GaN HEMT的驱动电流
作者:
Wei-Chih Cheng
;
Siqi Lei
;
Wenmao Li
;
Feng Zhao
;
Mansun Chan
;
Hongyu Yu
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Aluminum gallium nitride;
Wide band gap semiconductors;
HEMTs;
Strain;
MODFETs;
Stress;
Gallium nitride;
94.
Low Thermal Budget Dual-Dipole Gate Stacks Engineered for Sufficient BTI Reliability in Novel Integration Schemes
机译:
低热预算双偶极栅叠层,旨在在新型集成方案中实现足够的BTI可靠性
作者:
J. Franco
;
Z. Wu
;
G. Rzepa
;
A. Vandooren
;
H. Arimura
;
D. Claes
;
N. Horiguchi
;
N. Collaert
;
D. Linten
;
T. Grasser
;
B. Kaczer
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Logic gates;
Reliability;
Negative bias temperature instability;
Thermal variables control;
Aluminum oxide;
Hafnium compounds;
95.
Performance Evaluation of GaN-based Selective UV Photodetector by Varying Metal-Semiconductor-Metal Geometry
机译:
改变金属-半导体-金属几何形状的GaN基选择性紫外光电探测器的性能评估
作者:
Indu Kumari
;
Santu Nandi
;
Ankush Bag
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Electrodes;
Photodetectors;
Gallium nitride;
Gold;
Resists;
Dark current;
96.
Investigating the Doping Profiles in emerging Nanowire Junctionless Accumulation Mode FETs from the L-BTBT perspective
机译:
从L-BTBT角度研究新兴的纳米线无结累积模式FET中的掺杂分布
作者:
Aakash Kumar Jain
;
Mamidala Jagadesh Kumar
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
Doping profiles;
Logic gates;
Tunneling;
Field effect transistors;
Semiconductor process modeling;
97.
VCSEL-based parallel-optical modules for optical interconnects
机译:
用于光学互连的基于VCSEL的并行光学模块
作者:
Hideyuki Nasu
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Optical fibers;
Transceivers;
Temperature measurement;
Optical crosstalk;
Optical interconnections;
Optical sensors;
98.
Understanding of mobility degradation induced by gate charges of Ge pMOSFET
机译:
了解Ge pMOSFET的栅极电荷引起的迁移率降低
作者:
Lixing Zhou
;
Xiaolei Wang
;
Xueli Ma
;
Jinjuan Xiang
;
Chao Zhao
;
Tianchun Ye
;
Wenwu Wang
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
aluminium compounds;
elemental semiconductors;
germanium;
germanium compounds;
hole mobility;
MOSFET;
99.
Reliability-Aware FinFET Design
机译:
可靠性意识的FinFET设计
作者:
M. Toledano-Luque
;
P. Srinivasan. P. Paliwoda
;
S. Cimino
;
Z. Chbili
;
M. Iqbal Mahmud
;
A. Gupta
;
T. Shen
;
T. Kauerauf
;
B. Zhu
;
B. Min
;
T. Nigam
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
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2019年
关键词:
FinFETs;
Logic gates;
Degradation;
Annealing;
Reliability engineering;
Human computer interaction;
100.
Circuit Under on-chip-inductor structure (CUL) for the areal size reduction of Si-based RF circuit
机译:
片上电感器结构(CUL)下的电路,用于减小硅基射频电路的面积
作者:
Shinichi Uchida
;
Teruhiro Kuwajima
;
Risho Koh
;
Takafumi Kuramoto
;
Akio Ono
;
Takuho Kamada
;
Tetsuya Iida
;
Akira Matsumoto
;
Yasutaka Nakashiba
会议名称:
《2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference》
|
2019年
关键词:
Inductors;
Radio frequency;
Voltage-controlled oscillators;
Metals;
Q-factor;
Phase locked loops;
Method of moments;
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