...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Japanese journal of applied physics >Characterization of remote O_2-plasma-enhanced CVD SiO_2/GaN(0001) structure using photoemission measurements
【24h】

Characterization of remote O_2-plasma-enhanced CVD SiO_2/GaN(0001) structure using photoemission measurements

机译：使用光发射测量表征O_2等离子体增强的CVD SiO_2 / GaN（0001）结构

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

The control of chemical composition and bonding features at a SiO2/GaN interface is a key to realizing high-performance GaN power devices. In this study, an similar to 5.2-nm-thick SiO2 film has been deposited on an epitaxial GaN(0001) surface by remote O-2-plasma-enhanced chemical vapor deposition (O-2-RPCVD) using SiH4 and Ar/O-2 mixture gases at a substrate temperature of 500 degrees C. The depth profile of chemical structures and electronic defects of the O-2-RPCVD SiO2/GaN structures has been evaluated from a combination of SiO2 thinning examined by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and the total photoelectron yield spectroscopy (PYS) measurements. As a highlight, we found that O-2-RPCVD is effective for fabricating an abrupt SiO2/GaN interface. (C) 2018 The Japan Society of Applied Physics
机译：控制SiO2 / GaN界面处的化学成分和键合特征是实现高性能GaN功率器件的关键。在这项研究中，使用SiH4和Ar / O通过远程O-2-等离子体增强化学气相沉积（O-2-RPCVD）在外延GaN（0001）表面上沉积了类似于5.2 nm的SiO2薄膜。 -2混合气体在500摄氏度的衬底温度下进行。O-2-RPCVDSiO2 / GaN结构的化学结构和电子缺陷的深度分布已通过X射线光电子能谱法检测的SiO2稀化的组合进行了评估（ XPS）和总光电子产率光谱（PYS）测量。作为亮点，我们发现O-2-RPCVD对于制造突然的SiO2 / GaN界面有效。 （C）2018日本应用物理学会

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号