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机译:h-BN-MoS2范德华异质结构的局部吸收光谱通过扫描近场光学显微镜揭示
Tokyo Metropolitan Univ, Dept Phys, Hachioji, Tokyo 1920397, Japan;
Tokyo Metropolitan Univ, Dept Phys, Hachioji, Tokyo 1920397, Japan;
Tokyo Metropolitan Univ, Dept Phys, Hachioji, Tokyo 1920397, Japan|JST, PRESTO, Kawaguchi, Saitama 3320012, Japan;
Tokyo Metropolitan Univ, Dept Phys, Hachioji, Tokyo 1920397, Japan;
Natl Inst Mat Sci, Tsukuba, Ibaraki 3050044, Japan;
Natl Inst Mat Sci, Tsukuba, Ibaraki 3050044, Japan;
Tokyo Metropolitan Univ, Dept Phys, Hachioji, Tokyo 1920397, Japan;
机译:使用扫描近场光学显微镜测量获得的MoS2单层的局部光吸收光谱
机译:二维范德华异质结构中耦合等离激元-声子极化子的远场光谱学和近场光学成像
机译:基于二维MOS2-石墨烯的多层van der WALS异质结构:增强的电荷转移和光学吸收,电场可调迪拉点和带隙
机译:通过近场显微镜对范德华材料的光学表征
机译:通过扫描电容和近场扫描光学显微镜通过磷化镓铟磷化铟的电气和光学表征
机译:使用扫描近场光学显微镜观察和测量单双层磷脂膜的局部吸收系数
机译:各种各向异性范德华材料的导模研究 近场扫描光学显微镜
机译:使用扫描近场光学显微镜观察d形光纤的消逝场特征