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自由电子激发增强近场信号的扫描近场光学显微镜

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本发明公开了一种自由电子激发增强近场信号的扫描近场光学显微镜，属于扫描近场光学显微镜领域。本发明在现有扫描近场光学显微镜的基础之上，通过引入自由电子，在被测样品上产生表面近场，进而增强扫描近场光学显微镜近场信号及其成像质量。其实现将大幅提升红外太赫兹以及可见光等频段的微纳尺度结构的近场特性研究及其应用。

著录项

公开/公告号CN110488043B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-04

原文格式PDF
申请/专利权人电子科技大学;
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申请/专利号CN201910726384.8
发明设计人胡旻;张天宇;张倬铖;王玥莹;张晓秋艳;许星星;吴振华;龚森;赵陶;钟任斌;刘頔威;刘盛纲;
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申请日2019-08-07
分类号G01Q60/18(20100101);
代理机构51203 电子科技大学专利中心;
代理人邓黎
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 11:43:57

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1. 自由电子激发增强近场信号的扫描近场光学显微镜 [P] . 中国专利： CN110488043B . 2021.05.04
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