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机译:微波放电Ar流分解六甲基乙硅烷制备氢化非晶碳化硅膜
Nagaoka Univ Technol, Nagaoka, Niigata 9402188, Japan;
Nagaoka Univ Technol, Nagaoka, Niigata 9402188, Japan;
Nagaoka Univ Technol, Nagaoka, Niigata 9402188, Japan;
Univ Hyogo, Lab Adv Sci & Technol Inst, Kamigori, Hyogo 6781205, Japan;
Univ Hyogo, Lab Adv Sci & Technol Inst, Kamigori, Hyogo 6781205, Japan;
Nagaoka Univ Technol, Nagaoka, Niigata 9402188, Japan;
机译:Ar的微波放电流中CH_3 CN分解形成的氢化非晶氮化碳膜的结构分析
机译:在AR中微波排出流动中CH_3 CN分解形成的氢化非晶碳氮化物膜的结构分析
机译:六甲基乙硅烷的离子束诱导化学气相沉积法,用于氢化非晶碳化硅和碳氮化硅膜
机译:通过等离子体增强的化学气相沉积沉积氢化非晶碳化硅薄膜
机译:PECVD氢化非晶硅膜和HWCVD氢化非晶硅膜的质子NMR研究。
机译:通过快速热退火工艺增强氢化非晶碳化硅薄膜的光致发光
机译:通过远程氢微波等离子体CVD由三乙基硅烷前体形成的非晶氢化碳化硅(a-SiC:H)膜的生长机理和化学结构:第1部分
机译:添加到阅览室阅读软件下载与<<辉光放电分解制备离子镀和氢化非晶硼薄膜制备氢化非晶硅薄膜及其表征>>相似的文献。最终报告,1980年4月1日至1981年5月31日