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Rapid thermal oxidation of zinc nitride film

机译：氮化锌膜的快速热氧化

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In this work, a zinc nitride (ZnN) film was deposited at room temperature and subjected to pulse-mode rapid thermal oxidation. The physical and chemical structures of ZnN film were changed during the rapid thermal oxidation process. The presence of zinc-oxygen bonds in the oxidized ZnN film indicated that some nitrogen atoms within the ZnN film are replaced by oxygen atoms. Through the rapid thermal oxidation process, ZnN was converted into a zinc oxide material containing nitrogen atoms. The oxidized ZnN possessed more acceptor states than donor states, which resulted in p-type conduction. The carrier concentration, mobility, and resistivity of the rapid-thermal-oxidized ZnN were 6.49 x 10(18)cm(-3), 12.9cm(2)V(-1)s(-1) and 0.7 Omega cm, respectively. (C) 2015 The Japan Society of Applied Physics
机译：在这项工作中，在室温下沉积氮化锌（ZnN）膜并进行脉冲模式快速热氧化。在快速热氧化过程中，ZnN薄膜的物理和化学结构发生了变化。氧化的ZnN膜中锌-氧键的存在表明ZnN膜中的一些氮原子被氧原子代替。通过快速的热氧化过程，ZnN被转化为含有氮原子的氧化锌材料。氧化的ZnN具有比施主态更多的受体态，这导致p型传导。快速热氧化ZnN的载流子浓度，迁移率和电阻率分别为6.49 x 10（18）cm（-3），12.9cm（2）V（-1）s（-1）和0.7Ωcm。 。 （C）2015年日本应用物理学会

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