摘要:用直流磁控溅射法,通过改变溅射总气压及N<,2>与Ar的比例,在玻璃基片上制备了一系列TiN薄膜试样,利用X射线衍射仪(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)分别对试样的晶面取向和化学计量比进行了研究.XRD的结果显示,在其他条件不变的情况下,当N<,2>与Ar的比例不变,增加溅射总气压时,R值(TiN膜(200)与(111)晶面强度比)逐渐减小,在溅射总气压接近1.0Pa时,R值接近1;当固定溅射总气压,加大溅射气体中N<,2>的比例时,R值随N<,2>比例的增加先增大,当N<,2>的比例大于10﹪后,R值几乎不再随N<,2>比例的增加而变化.XPS的结果表明,所有试样的N与Ti的原子比均大于1;改变溅射气体温表N<,2>的比例可明显改变N/Ti的比值,当N<,2>的比例在5﹪左右时,N/Ti的比值达1.3.