...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Japanese journal of applied physics >Electronic properties of HBr, O-2 and Cl-2 used in Si etching
【24h】

Electronic properties of HBr, O-2 and Cl-2 used in Si etching

机译：硅蚀刻中使用的HBr，O-2和Cl-2的电子性能

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Si gate etching is usually performed using HBr, Cl-2, and O-2 gases. However, the electronic properties of these gases have not been fully discussed. Therefore, we investigated the electronic properties using computational chemistry. The results show that electron-attached negative ions of these compounds tend to dissociate into atoms, and negative ions, except O-2 (H+Br-, Cl+Cl-, and O-2(-)), and ionized positive ions form the molecular ions in the threshold region without dissociation (HBr+, Cl-2(+), and O-2(+)). Some of the excited states of these molecules are dissociative; therefore, these molecules favorably dissociate into atoms (H+Br, Cl+Cl, and O+O) upon electron excitation in the process plasma. (C) 2015 The Japan Society of Applied Physics
机译：硅栅极蚀刻通常使用HBr，Cl-2和O-2气体进行。但是，尚未充分讨论这些气体的电子性质。因此，我们使用计算化学研究了电子性质。结果表明，这些化合物的附有电子的负离子趋于解离成原子，并且负离子除O-2（H + Br-，Cl + Cl-和O-2（-））和离子化的正离子外在阈值区域形成分子离子而没有解离（HBr +，Cl-2（+）和O-2（+））。这些分子的某些激发态是离解性的。因此，在过程等离子体中受到电子激发后，这些分子有利地解离为原子（H + Br，Cl + Cl和O + O）。 （C）2015年日本应用物理学会

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号