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【24h】

Investigation of InGaP/(In)AlGaAs/GaAs triple-junction top cells for smart stacked multijunction solar cells grown using molecular beam epitaxy

机译：使用分子束外延生长的智能堆叠多结太阳能电池InGaP /（In）AlGaAs / GaAs三结顶部电池的研究

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We report high-quality InGaP/(In)AlGaAs/GaAs triple-junction solar cells fabricated using solid-source molecular beam epitaxy (MBE) for the first time. The triple-junction cells can be used as top cells for smart stacked multijunction solar cells. A growth temperature of 480 degrees C was found to be suitable for an (In)AlGaAs second cell to obtain high-quality tunnel junctions. The properties of AlGaAs solar cells were better than those of InAlGaAs solar cells when a second cell was grown at 480 degrees C. The high-quality InGaP/AlGaAs/GaAs solar cell had an impressive open-circuit voltage of 3.1 V. This result indicates that high-performance InGaP/AlGaAs/GaAs triple-junction solar cells can be fabricated using solid-source MBE. (C) 2015 The Japan Society of Applied Physics
机译：我们首次报告了使用固体源分子束外延（MBE）制造的高质量InGaP /（In）AlGaAs / GaAs三结太阳能电池。三结电池可以用作智能堆叠多结太阳能电池的顶部电池。发现480℃的生长温度适合于（In）AlGaAs第二电池以获得高质量的隧道结。当第二个电池在480摄氏度下生长时，AlGaAs太阳能电池的性能优于InAlGaAs太阳能电池。高质量的InGaP / AlGaAs / GaAs太阳能电池的开路电压为3.1 V，令人印象深刻。可以使用固体源MBE来制造高性能InGaP / AlGaAs / GaAs三结太阳能电池。 （C）2015年日本应用物理学会

著录项

  • 来源
    《Japanese journal of applied physics》 |2015年第8s1期|08KE02.1-08KE02.5|共5页
  • 作者

    Sugaya Takeyoshi; Mochizuki Toru; Makita Kikuo; Oshima Ryuji; Matsubara Koji; Okano Yoshinobu; Niki Shigeru;

  • 作者单位

    Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, Tsukuba, Ibaraki 3058568, Japan.;

    Tokyo City Univ, Setagaya Ku, Tokyo 1588557, Japan.;

    Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, Tsukuba, Ibaraki 3058568, Japan.;

    Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, Tsukuba, Ibaraki 3058568, Japan.;

    Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, Tsukuba, Ibaraki 3058568, Japan.;

    Tokyo City Univ, Setagaya Ku, Tokyo 1588557, Japan.;

    Natl Inst Adv Ind Sci & Technol, Tsukuba, Ibaraki 3058568, Japan.;

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