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Recent progress of GaN power devices for automotive applications

机译：汽车应用GaN功率器件的最新进展

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摘要

Many power switching devices are used in hybrid vehicles (HVs) and electric vehicles (EVs). To improve the efficiency of HVs and EVs, better performance characteristics than those of Si power devices, for example, lower on-resistance, higher speed, higher operation temperature, are required for the power devices. GaN power devices are promising candidates for satisfying the requirements. A lateral GaN power device with a blocking voltage of 600 V and a vertical GaN power device with a blocking voltage of 1200 V are suitable for medium power applications for sub systems and high-power applications for the drive of main motors, respectively. Power device applications in HVs and EVs and the current status of the GaN power device are presented. The reliability of the GaN power device is also discussed.
机译：在混合动力汽车（HV）和电动汽车（EV）中使用了许多电源开关设备。为了提高HV和EV的效率，要求功率比Si功率器件更好的性能特性，例如，更低的导通电阻，更高的速度，更高的工作温度。 GaN功率器件有望满足这些要求。阻断电压为600 V的横向GaN功率器件和阻断电压为1200 V的垂直GaN功率器件分别适用于子系统的中功率应用和主电机驱动的高功率应用。介绍了在HV和EV中的功率器件应用以及GaN功率器件的当前状态。还讨论了GaN功率器件的可靠性。

著录项

  • 来源
    《Japanese journal of applied physics》 |2014年第10期|100210.1-100210.10|共10页
  • 作者

    Tetsu Kachi;

  • 作者单位

    Toyota Central R&D Labs., Inc., Nagakute, Aichi 480-1192, Japan;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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