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机译:GaN上沉积的SiO_2原子层的金属-氧化物-半导体界面和介电特性
Center for Integrated Electronics, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, U.S.A.,Fuji Electric Co., Ltd., Hino, Tokyo 191-8502, Japan;
Center for Integrated Electronics, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, U.S.A.;
Center for Integrated Electronics, Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, U.S.A.;
机译:具有原子层沉积的氮化硅/ SiO_2堆叠栅电介质的金属氧化物半导体场效应晶体管的偏置温度不稳定性
机译:使用原子层沉积氮化硅/ SiO_2叠层电介质改善金属氧化物半导体场效应晶体管的迁移率和负偏压温度不稳定性
机译:原子层沉积的AI_2O_3和(Ta_2O_5)_(0.12)(Al_2O_3)_)0.88)栅极电介质在CaN包覆的AIGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管特性上的比较
机译:4H-SIC堆叠电介质的原子层沉积LA_2O_3 /热氮化SiO_2的电性能(0001)
机译:GaN上等离子增强原子层沉积介电层的界面电子状态表征。
机译:厚度取决于在c面GaN上沉积的原子层中AlN的界面和电学性质
机译:具有原子层沉积HfalO作为栅介质的Gasb金属氧化物半导体电容器