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Application of a Continued-Fraction-Based Theory to Line-Profile in Mn-Doped GaN Film

机译：基于连续分数的理论在锰掺杂GaN薄膜线形中的应用

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Starting with the Kubo formalism and using the projection operator technique (POT) introduced by Kawabata, the optical quantum transition line-profiles (QTLPs) formula for a Mn-doped wurtzite GaN film was derived as a function of temperature at a frequency of 9.49 GHz (X-band), on the basis of continued fraction representation (CFR) which is a counterpart of the conventional series expansion (CSE). Utilizing this formula we obtained the fine-structure parameter a- F = 9.4 × 10~(-4) cm~(-1) and fitting parameter ζ = 4.1. The optical quantum transition half-widths (QTHWs) obtained with the use of these parameters agrees quite well with the existing experimental result in the temperature region T > 20 K. The QTHWs increase with increasing temperature due to the interaction of electrons with optical phonons. Thus, the present technique is considered to be more convenient to explain the resonant system as in the case of other optical transition problems.
机译：从Kubo形式主义开始，并使用Kawabata引入的投影算子技术（POT），得出了锰掺杂纤锌矿GaN薄膜的光量子跃迁线轮廓（QTLP）公式，该公式是温度在9.49 GHz时的函数。 （X波段），这是基于连续分数表示（CFR）的，它是传统系列扩展（CSE）的对应物。利用这个公式，我们得到了精细结构参数a- F = 9.4×10〜（-4）cm〜（-1），拟合参数ζ= 4.1。利用这些参数获得的光量子跃迁半宽度（QTHWs）与现有的温度范围T> 20 K的实验结果非常吻合。由于电子与光子的相互作用，QTHWs随着温度的升高而增加。因此，如同在其他光学跃迁问题的情况下一样，本技术被认为更便于解释谐振系统。

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  • 来源
    《Japanese journal of applied physics》 |2012年第5issue1期|p.052402.1-052402.6|共6页
  • 作者

    Jung-ll Park; Hyeong-Rag Lee; Su-Ho Lee;

  • 作者单位

    Nano-Physics and Technology Laboratory, Department of Physics, Kyungpook National University, Daegu 702-701, Korea;

    Nano-Physics and Technology Laboratory, Department of Physics, Kyungpook National University, Daegu 702-701, Korea;

    Department of Electrical Engineering, Dong-A University, Busan 602-714, Korea;

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