...
机译:热纳米压印光刻技术和CI_2 / Xe电感耦合等离子体刻蚀对硅基高折射率光栅结构进行微细加工
Semiconductor and MEMS Processing Center, Technical Department Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8503, Japan;
Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8503, Japan;
Samco Inc., Kyoto 612-8443, Japan;
Precision and Intelligence Laboratory, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8503, Japan;
机译:Cl_2,CI_2 / O_2和CI_2 / N_2感应耦合等离子体工艺刻蚀InP中高纵横比光子晶体孔的比较研究
机译:使用纳米压印光刻技术和电感耦合等离子体蚀刻技术对GaN进行纳米级图案化
机译:使用感应耦合等离子体(ICP)的极紫外蚀刻(EUVL)的交替相移掩模(PSM)结构的高度选择性干法蚀刻
机译:SF_6和CI_2等离子体化学对Pt蚀刻特性的比较
机译:使用热纳米压印光刻技术的纳米结构表面:在薄膜技术,压电能量收集和触觉压力感测中的应用。
机译:通过分步重复热纳米压印光刻技术实现的集成3D水凝胶波导输出耦合器:一种有前途的水和pH传感器设备
机译:结合Nanoimprint光刻和分子量选择性热回流来产生混合3D结构的产生