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【24h】

Organic Light-Emitting Diode-on-Silicon Pixel Circuit Using the Source Follower Structure with Active Load for Microdisplays

机译：使用有源负载的源极跟随器结构的有机发光二极管硅像素像素电路，用于微型显示器

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摘要

In this paper, we propose a pixel circuit immune to the electrical characteristic variation of organic light-emitting diodes (OLEDs) for organic light-emitting diode-on-silicon (OLEDoS) microdisplays with a 0.4 inch video graphics array (VGA) resolution and a 6-bit gray scale. The proposed pixel circuit is implemented using five p-channel metal oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) and one storage capacitor. The proposed pixel circuit has a source follower with a diode-connected transistor as an active load for improving the immunity against the electrical characteristic variation of OLEDs. The deviation in the measured emission current ranges from -0.165 to 0.212 least significant bit (LSB) among 11 samples while the anode voltage of OLED is OV. Also, the deviation in the measured emission current ranges from -0.262 to 0.272 LSB in pixel samples, while the anode voltage of OLED varies from 0 to 2.5 V owing to the electrical characteristic variation of OLEDs.
机译：在本文中，我们提出了一种像素电路，该像素电路不受0.4英寸视频图形阵列（VGA）分辨率的硅有机发光二极管（OLEDoS）微型显示器的有机发光二极管（OLED）的电特性变化的影响，并且6位灰度。所提出的像素电路是使用五个p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和一个存储电容器实现的。所提出的像素电路具有源极跟随器，该源极跟随器具有作为有源负载的二极管连接的晶体管，以提高对OLED的电特性变化的抵抗力。当OLED的阳极电压为OV时，在11个样本中测得的发射电流的偏差范围为-0.165至0.212最低有效位（LSB）。同样，在像素样本中，所测量的发射电流的偏差在-0.262至0.272 LSB的范围内，而由于OLED的电特性变化，OLED的阳极电压在0至2.5 V之间变化。

著录项

  • 来源
    《Applied physics express》 |2011年第3issue2期|p.03CC05.1-03CC05.5|共5页
  • 作者

    Bong-Choon Kwak; Han-Sin Lim; Oh-Kyong Kwon;

  • 作者单位

    Department of Electronic Engineering, Hanyang University, 17 Haengdang-dong, Seongdong-gu, Seoul 133-791, Korea;

    Department of Electronic Engineering, Hanyang University, 17 Haengdang-dong, Seongdong-gu, Seoul 133-791, Korea;

    Department of Electronic Engineering, Hanyang University, 17 Haengdang-dong, Seongdong-gu, Seoul 133-791, Korea;

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