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首页> 外文期刊>Japanese journal of applied physics >Sulfurization Growth Of Sns Films And Fabrication Of Cds/sns Heterojunction For Solar Cells
【24h】

Sulfurization Growth Of Sns Films And Fabrication Of Cds/sns Heterojunction For Solar Cells

机译：Sns薄膜的硫化生长和太阳能电池Cds / sns异质结的制备

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Polycrystalline tin sulfide (SnS) films were grown by sulfurization of a Sn precursor at low temperatures of 120-220℃. The SnS film grown at 170℃ comprises densely packed 3-5-μm-diameter columnar grains, which is appropriate for use in the photoabsorption layers of solar cells. The SnS film had an optical bandgap of approximately 1.3 eV and p-type conductivity. Using an appropriate SnS film, an n-CdS/p-SnS heterojunction was fabricated on Mo-coated soda-lime glass substrates. These results are the first step toward realizing an optical device as a solar cell using a SnS film grown by sulfurization.
机译：通过在120-220℃的低温下硫化Sn前驱体来生长多晶硫化锡（SnS）膜。在170℃下生长的SnS膜包含密集堆积的3-5-μm直径的柱状晶粒，适合用于太阳能电池的光吸收层。 SnS膜具有约1.3eV的光学带隙和p型导电性。使用合适的SnS膜，在涂Mo的钠钙玻璃基板上制造n-CdS / p-SnS异质结。这些结果是使用通过硫化生长的SnS膜将光学器件实现为太阳能电池的第一步。

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