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首页> 外文期刊>Japanese journal of applied physics >Feasibility Study Of Chemically Amplified Extreme Ultraviolet Resists For 22 Nm Fabrication
【24h】

Feasibility Study Of Chemically Amplified Extreme Ultraviolet Resists For 22 Nm Fabrication

机译：化学放大极紫外抗蚀剂在22 Nm的制造中的可行性研究

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The trade-off between sensitivity, resolution, and line edge roughness is the most important concern for the development of high-performance resists based on chemical amplification. Below sub-30nm patterns, a chemical balance between acids and quenchers basically controls the quality of latent images. Under this situation, an ideal chemically amplified resist is the one in which the neutralization between acids and quenchers proceeds before the start of acid catalytic reactions and chemical reactions occur with a diffusion-controlled rate. In this study, the qualities of latent images were compared among exposure doses of 2, 5, 10, and 20mJ cm~(-2) under the ideal condition. The authors found that chemically amplified resists with a 22 nm resolution and a 10mJ cm~(-2) sensitivity are feasible under the ideal condition. However, a high-quality image is unlikely to be obtained upon 5 mJ cm~(-2) exposure without increasing polymer absorption or acid generation efficiency per photon.
机译：灵敏度，分辨率和线条边缘粗糙度之间的权衡是开发基于化学放大的高性能抗蚀剂的最重要问题。在低于30nm的图案以下，酸和淬灭剂之间的化学平衡基本上控制了潜像的质量。在这种情况下，理想的化学放大抗蚀剂是其中酸和淬灭剂之间的中和反应在酸催化反应和化学反应开始之前以扩散控制的速率进行的过程。在这项研究中，比较了在理想条件下2、5、10和20mJ cm〜（-2）的曝光剂量下潜像的质量。作者发现，在理想条件下，具有22 nm分辨率和10mJ cm〜（-2）灵敏度的化学放大抗蚀剂是可行的。然而，在不增加聚合物吸收或每个光子的产酸效率的情况下，在5 mJ cm〜（-2）的曝光下不太可能获得高质量的图像。

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