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首页> 外文期刊>Japanese journal of applied physics >Structural, Electronic, and Optical Properties of In_xGa_(1-x)As Alloys by Full Potential Linear Augmented Plane Wave Method
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Structural, Electronic, and Optical Properties of In_xGa_(1-x)As Alloys by Full Potential Linear Augmented Plane Wave Method

机译：全势线性增强平面波方法研究In_xGa_（1-x）As合金的结构，电子和光学性质

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Ab-initio calculations have been performed to determine the structural, electronic, and optical properties of In_xGa_(1-x)As alloys for x = 0.0, 0.25, 0.50, 0.75, and 1.0. The calculated lattice constants follow Vegard's law when we allow for relaxation of atomic positions. Our calculated dielectric function and critical points are in good qualitative agreement with experimental data. The critical point energies are fitted with a polynomial equation of indium concentration. The measured dielectric function and fitting parameters are in good agreement with our results. Our results will be useful for the design of optoelectronic devices using these materials.
机译：已经进行了从头算计算以确定x = 0.0、0.25、0.50、0.75和1.0的In_xGa_（1-x）As合金的结构，电子和光学性质。当我们允许原子位置放宽时，计算出的晶格常数遵循Vegard定律。我们计算的介电函数和临界点与实验数据具有很好的定性一致性。临界点能量符合铟浓度的多项式方程。测得的介电函数和拟合参数与我们的结果非常吻合。我们的结果对于使用这些材料的光电器件设计将是有用的。

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