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【24h】

Effects Of Electron-cyclotron-resonance Oxygen Plasma Irradiation On Properties Of Insulator/ge-semiconductor Interfaces Prior To Germanium Nitride Formation

机译：电子回旋共振氧等离子体辐照对氮化锗形成之前绝缘体/锗半导体界面性能的影响

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Electron-cyclotron-resonance (ECR) oxygen (O_2) plasma was irradiated onto the surface of germanium (Ge) substrates prior to germanium nitride (GeN_x) formation. Germanium metal-insulator-semiconductor (Ge-MIS) structures with a 5-nm-thick silicon nitride/2-nm-thick GeN_x gate insulator stack fabricated by ECR plasma nitridation and sputtering deposition without substrate heating were electrically and physically characterized. Although ECR O_2 plasma irradiation onto the surface of Ge substrates caused no significant difference in the chemical state of GeN_x/Ge interfaces in X-ray photoemission spectroscopic measurement, irradiation for an appropriate period improved the state of GeN_x/Ge interfaces and the electrical properties of Ge-MIS.
机译：在形成氮化锗（GeN_x）之前，将电子回旋共振（ECR）氧（O_2）等离子体辐照到锗（Ge）衬底的表面上。对具有5nm厚度的氮化硅/ 2nm厚度的GeN_x栅绝缘体叠层的锗金属绝缘体半导体（Ge-MIS）结构进行了电学和物理表征，这些栅极绝缘体叠层是通过ECR等离子体氮化和溅射沉积工艺制造的。尽管在X射线光电子能谱测量中，对Ge衬底表面进行ECR O_2等离子体辐照不会对GeN_x / Ge界面的化学状态造成明显的影响，但在适当的时间段内进行辐照可以改善GeN_x / Ge界面的状态和电学性能。 Ge-MIS。

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