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机译:具有TiO_2 / SiN栅极绝缘体的高击穿电压AlGaN / GaN金属绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管
Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Tsukuba Central 2, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan;
AlGaN/GaN HEMT; MIS; high-k; SiN; breakdown voltage; current collapse;
机译:Si沉积过程中氨对4英寸SiN / AlGaN / GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管性能的影响。硅(111)
机译:嵌入式GAN金属 - 绝缘体 - 半导体高电子移动晶体管使用采用TiO2 / SiN的双栅极绝缘体
机译:在4英寸硅衬底上具有高击穿特性的AlN / AlGaN / GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管
机译:CVD金刚石上的AlGaN / GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管中的界面陷阱密度低
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:质子辐照对常断型AlGaN / GaN栅嵌入式金属-绝缘体-半导体异质结构场效应晶体管随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:alGaN / GaN金属 - 绝缘体 - 半导体高电子迁移率晶体管的界面态/边界陷阱与阈值电压漂移的相关性