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Dielectric Properties of the Interface between Si and SiO_2

机译：Si与SiO_2之间界面的介电性能

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We studied the electronic structure and dielectric properties of a SiO_2(quartz)-(1100)/Si(001) interface, using first-principles ground-state calculations in a finite electric field. We evaluated the optical and the static dielectric constants for the stable SiO_2/Si(001) interface model. Both the optical and the static dielectric constants change abruptly in the vicinity of the SiO_2/ Si interface, while the energy gap changes gradually on the SiO_2 side. These results indicate that the profile of the dielectric constant is determined by the local polarization which directly reflects the local atomic arrangement.
机译：我们在有限电场中使用第一性原理基态计算研究了SiO_2（石英）-（1100）/ Si（001）界面的电子结构和介电性能。我们评估了稳定的SiO_2 / Si（001）界面模型的光学和静态介电常数。 SiO_2 / Si界面附近的光学和静态介电常数都会突然变化，而SiO_2侧的能隙逐渐变化。这些结果表明介电常数的分布由直接反映局部原子排列的局部极化确定。

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