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Chromeless Phase Lithography Using Scattering Bars and Zebra Patterns

机译：使用散射条和斑马图案的无铬相光刻

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Resolution enhancement technology refers to a technique that extends the usable resolution of an imaging system without decreasing the wavelength of light or increasing the numerical aperture (NA) of the imaging tool. Off-axis illumination and a phase shift mask (PSM) are essentially accompanied by optical proximity correction (OPC) for most devices nowadays. Chromeless phase lithography (CPL) is one of the PSM technologies. To obtain the best resolution, proper OPC is required with CPL. While the most common application of OPC is to provide mask bias, an additional technique is the use of scattering bars (SBs) and zebra patterns. We compared zebra patterns for 65 nm lines and spaces (L/S) and 45 nm isolated line (I/L) with SBs. To optimize zebra pattern density, we vary the line width and pitch of the zebra patterns. We confirmed that the use of SB and zebra patterns could realize the target linewidth and control necessary for acheiving dense L/S and I/L.
机译：分辨率增强技术是指在不减小光波长或不增大成像工具的数值孔径（NA）的情况下扩展成像系统的可用分辨率的技术。对于当今的大多数设备而言，离轴照明和相移掩模（PSM）基本上都伴随着光学邻近校正（OPC）。无铬相位光刻（CPL）是PSM技术之一。为了获得最佳分辨率，CPL需要适当的OPC。虽然OPC的最常见应用是提供掩膜偏置，但另一种技术是使用散射棒（SBs）和斑马图案。我们用SB比较了65 nm线和间隔（L / S）和45 nm隔离线（I / L）的斑马图案。为了优化斑马图案的密度，我们改变了斑马图案的线宽和间距。我们确认，使用SB和斑马图案可以实现目标线宽和控制，以实现密集的L / S和I / L。

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