电子束散射角限制投影光刻掩模研制

杨清华; 陈大鹏; 叶甜春; 刘明; 陈宝钦; 李兵; 董立军

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掩模制作是电子束散射角限制投影光刻(SCALPEL)的关键技术.通过优化工艺,制作出具有"纳米硅镶嵌结构"的低应力SiNx薄膜作为支撑;开发了电子束直写胶图形的加法工艺,在支撑薄膜上得到清晰的钨 / 铬散射体图形.研制出的SCALPEL掩模,其晶片尺寸为80mm,图形线宽达到0.1μm,经缩小投影曝光得到78nm的图形分辨力.

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来源
《光电工程》 |2004年第4期|13-16|共4页
作者
杨清华; 陈大鹏; 叶甜春; 刘明; 陈宝钦; 李兵; 董立军;
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作者单位

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

中国科学院微电子研究所,北京,100029;

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正文语种 chi
中图分类光刻、掩膜;
关键词
电子束光刻; 掩模; 投影光刻;

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