机译:Fe / Al多层催化剂热化学气相沉积生长高密度垂直取向碳纳米管的结构分析
Nitta Haas Inc., 172 Ikezawa-cho, Yamatokoriyama, Nara 639-1032, Japan;
carbon nanotube; vertically aligned; chemical vapor deposition; multi walled carbon nanotube; multilayer catalyst;
机译:不同催化剂沉积工艺对热化学气相沉积生长取向多壁碳纳米管的影响
机译:铁催化剂涂层中碳含量对通过热化学气相沉积法在光滑硅表面上垂直排列的碳纳米管生长的影响
机译:通过流化床催化化学气相沉积在层状催化剂上生长的垂直排列的碳纳米管阵列
机译:在大面积硅衬底热化学气相沉积上生长的垂直对准碳纳米管的电子发射
机译:通过热化学气相沉积(CVD)在图案化的硅晶片上生长碳纳米管。
机译:垂直对齐的碳纳米管阵列的化学气相沉积:氧化物缓冲层的关键影响。
机译:原位控制垂直对准碳纳米管的化学气相沉积催化剂效率对预封闭金属催化剂薄膜的催化剂效率
机译:通过在石墨箔上生长的垂直排列的碳纳米管的优异的热界面。