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首页> 外文期刊>Japanese Journal of Applied Physics. Part 2, Letters & Express Letters >Blue, Green, and Amber InGaN/GaN Light-Emitting Diodes on Semipolar {1122} GaN Bulk Substrates
【24h】

Blue, Green, and Amber InGaN/GaN Light-Emitting Diodes on Semipolar {1122} GaN Bulk Substrates

机译：半极性{1122} GaN体衬底上的蓝色，绿色和琥珀色InGaN / GaN发光二极管

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摘要

We demonstrate the fabrication of blue, green, and amber InGaN/GaN light-emitting diodes (LEDs) on semipolar {1122) bulk GaN substrates. The {1122}GaN substrates used in this study are produced by cutting out from a c-oriented GaN bulk crystal grown by hydride vapor epitaxy. The LEDs have a dimension of 320 x 320 μm~2 and are packed in an epoxide resin. The output power and external quantum efficiency (EQE) at a driving current of 20 mA are 1.76 mW and 3.0%, respectively, for the blue LED, 1.91 mW and 4.1% for the green LED, and 0.54 mW and 1.3% for the amber LED. The maximum output powers obtained with a maximum current of 200 mA are 19.0 mW (blue), 13.4mW (green), and 1.9 mW (amber), while the maximum EQEs are 4.0% at 140 mA (blue), 4.9% at 0.2 mA (green), and 1.6% at 1 mA (amber). It is confirmed that the emission light is polarized along the [1100] direction, reflecting the low crystal symmetry of the {1122) plane.
机译：我们演示了在半极性（1122）大块GaN衬底上制造蓝色，绿色和琥珀色InGaN / GaN发光二极管（LED）的过程。本研究中使用的{1122} GaN衬底是通过从氢化物气相外延生长的c取向GaN块状晶体中切出而制成的。 LED的尺寸为320 x 320μm〜2，并封装在环氧树脂中。驱动电流为20 mA时，蓝色LED的输出功率和外部量子效率（EQE）对于蓝色LED分别为1.76 mW和3.0％，对于绿色LED分别为1.91 mW和4.1％，对于琥珀色为0.54 mW和1.3％发光二极管。最大电流为200 mA时获得的最大输出功率为19.0 mW（蓝色），13.4mW（绿色）和1.9 mW（琥珀色），而最大EQE在140 mA（蓝色）时为4.0％，在0.2 mA时为4.9％。 mA（绿色），在1 mA（琥珀色）下为1.6％。确认发射光沿[1100]方向偏振，反映了{1122）平面的低晶体对称性。

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