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首页> 外文期刊>Japanese Journal of Applied Physics. Part 1, Regular Papers, Brief Communications & Review Papers >Data Retention Characteristics of Nitride-Based Charge Trap Memory Devices with High-k Dielectrics and High-Work-Function Metal Gates for Multi-Gigabit Flash Memory
【24h】

Data Retention Characteristics of Nitride-Based Charge Trap Memory Devices with High-k Dielectrics and High-Work-Function Metal Gates for Multi-Gigabit Flash Memory

机译：具有高k电介质和高功函数金属门的基于氮化物的电荷陷阱存储器件的数据保留特性，用于多千兆位闪存

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The data retention characteristics of nitride-based charge trap memories using metal-oxide-nitride-oxide-silicon (MONOS) structures employing high-k dielectrics and high-work-function metal gates have been investigated. The fabricated MONOS devices with structures of TaN/Al_2O_3/Si_3N_4/SiO_2/p-Si show fast program/erase characteristics with a large memory window of greater than 6 V at program and erase voltages of ± 18 V. From a bake retention test at high temperatures (200, 225, 250, and 275?), it is expected to take more than 40 years to lose less than 0.5 V charge loss at 85℃. In this paper, we present an optimized cell structure for both improved data retention and erase speed, as well as a systematic study on the charge decay process in MONOS-type flash memory for high-density device applications.
机译：已经研究了使用采用高k电介质和高功函数金属栅极的金属氧化物-氮化物-氧化物-硅（MONOS）结构的氮化物基电荷陷阱存储器的数据保留特性。制成的具有TaN / Al_2O_3 / Si_3N_4 / SiO_2 / p-Si结构的MONOS器件具有快速的编程/擦除特性，在编程时的存储窗口大于6 V，擦除电压为±18V。高温（200、225、250和275°C），在85℃时，要损失不到0.5 V的电荷损耗，将需要40年以上的时间。在本文中，我们提出了一种优化的单元结构，以改善数据保留和擦除速度，并针对用于高密度器件应用的MONOS型闪存中的电荷衰减过程进行了系统研究。

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