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整合具有不同功函数的金属以形成具有高K栅极电介质及相关结构的互补金属氧化物半导体栅极的方法

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依据一个示意性的实施例，提供一种在衬底(202)上整合第一(206)与第二金属层(208)以形成双金属NMOS栅极(226)及PMOS栅极(228)的方法，该方法包括在衬底(202)的NMOS区域(210)与PMOS区域(212)上沉积(150)介电层(204)。此方法还包括在介电层(204)上沉积(150)第一金属层(206)。此方法还包括在第一金属层(206)上沉积(150)第二金属层(208)。此方法还包括在衬底(202)的NMOS区域(210)中注入(152)氮，再将第一金属层(206)的第一部分转化(154)成金属氧化物层(220)以及将第一金属层(206)的第二部分转化成金属氮化物层(218)。此方法还包括形成(156)NMOS栅极(226)及PMOS栅极(228)，其中NMOS栅极(226)包括金属氮化物层(218)的区段(234)，且PMOS栅极(228)包括金属氧化物层(220)的区段(242)。

著录项

公开/公告号CN1846305A

专利类型发明专利
公开/公告日2006-10-11

原文格式PDF
申请/专利权人先进微装置公司;
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申请/专利号CN200480025535.9
发明设计人相奇;H·钟;J-S·古;A·K·霍尔布鲁克;J·S·千;G·J·克拉思;
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申请日2004-08-31
分类号H01L21/8238;
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司;
代理人戈泊
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 17:46:56

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2009-12-23

授权

授权
2006-12-06

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-10-11

公开

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1. 整合具有不同功函数的金属以形成具有高K栅极电介质及相关结构的互补金属氧化物半导体栅极的方法 [P] . 中国专利： CN1846305A . 2006-10-11
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