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首页> 外文期刊>Japanese Journal of Applied Physics. Part 1, Regular Papers, Brief Communications & Review Papers >Electrical and Optical Properties of n-ZnO/p-SiC Heterojunctions
【24h】

Electrical and Optical Properties of n-ZnO/p-SiC Heterojunctions

机译：n-ZnO / p-SiC异质结的电学和光学性质

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A series of n-ZnO/p-6H-SiC heterostructures have been grown by molecular-beam epitaxy, and electrical and optical properties of the mesa diodes have been studied. Current versus voltage (Ⅰ-Ⅴ) characteristics of the samples revealed a good rectifying behavior of all samples with a typical leakage current less than 10~(-7) A at -8, and with forward currents changing from sample to sample and at 8V lying in the range 0.8-10 mA. Capacitance-voltage (C-V) profiles and double pulse deep level transient spectroscopy (DDLTS) indicate interface states in the 10~(12)-10~(13)/cm~2 eV range, sharply peaked below 0.5 eV. Under forward bias electroluminescence (EL) emission was observed from most of the samples in yellow and violet regions with maxima at ～2.1 and ～2.92 eV, which attributed to the SiC side of the n-ZnO/p-6H-SiC heterojunction, from the comparison with the photoluminescence spectra of n-ZnO and p-SiC.
机译：通过分子束外延生长了一系列n-ZnO / p-6H-SiC异质结构，并研究了台面二极管的电学和光学性质。样品的电流-电压（Ⅰ-Ⅴ）特性表明，所有样品均具有良好的整流性能，在-8时典型泄漏电流小于10〜（-7）A，且在8V时样品之间的正向电流变化范围为0.8-10 mA。电容-电压（C-V）曲线和双脉冲深电平瞬态光谱（DDLTS）指示界面状态在10〜（12）-10〜（13）/ cm〜2 eV范围内，在0.5 eV以下急剧升高。在正向偏压下，在黄色和紫色区域的大多数样品中观察到电致发光（EL）发射，最大值在〜2.1和〜2.92 eV，这归因于n-ZnO / p-6H-SiC异质结的SiC侧。与n-ZnO和p-SiC的光致发光光谱比较。

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