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首页> 外文期刊>Japanese Journal of Applied Physics. Part 1, Regular Papers, Brief Communications & Review Papers >n-Type Doping for Single-Walled Carbon Nanotubes by Oxygen Ion Implantation with 25 eV Ultralow-Energy Ion Beam
【24h】

n-Type Doping for Single-Walled Carbon Nanotubes by Oxygen Ion Implantation with 25 eV Ultralow-Energy Ion Beam

机译：25伏特超低能量离子束氧离子注入对单壁碳纳米管的n型掺杂

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Oxygen ions with the ultralow-energy of 25 eV are implanted in single walled carbon nanotube (SWNT) field-effect transistors (FETs), which convert the SWNT from p-type to n-type. The dose amount ranged from 1.8 x 10~(11) to 8.2 x 10~(12) ions/cm~2. In the drain current-gate voltage characteristic, the hole current begins to decrease while the electron current begins to increase as the dose of the oxygen ions implanted in SWNT-FETs increases. Moreover, the threshold voltage of the hole transport shifted to the negative direction of the gate voltage. These changes in the electrical properties of SWNT-FET after the oxygen-ion implantation correspond to the n-type conversion and to the shift in Fermi level from the valence band edge to the conduction band edge. The implanted oxygen ions may substitute the carbon atoms in the SWNT and act as donor impurities.
机译：将具有25 eV超低能量的氧离子注入单壁碳纳米管（SWNT）场效应晶体管（FET）中，该晶体管将SWNT从p型转换为n型。剂量范围为1.8×10〜（11）至8.2×10〜（12）个离子/ cm〜2。在漏极电流-栅极电压特性中，随着注入到SWNT-FET中的氧离子剂量的增加，空穴电流开始减小，而电子电流开始增加。此外，空穴传输的阈值电压向栅极电压的负方向偏移。氧离子注入之后，SWNT-FET的电特性的这些变化对应于n型转换，并且对应于费米能级从价带边缘到导带边缘的移动。注入的氧离子可替代SWNT中的碳原子并充当施主杂质。

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