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首页> 外文期刊>Japanese Journal of Applied Physics. Part 2, Letters >High Gain and High Sensitive Blue-Ultraviolet Avalanche Photodiodes (APDs) of ZnSSe n~+-i-p Structure Molecular Beam Epitaxy (MBE) Grown on p-type GaAs Substrates
【24h】

High Gain and High Sensitive Blue-Ultraviolet Avalanche Photodiodes (APDs) of ZnSSe n~+-i-p Structure Molecular Beam Epitaxy (MBE) Grown on p-type GaAs Substrates

机译：在p型GaAs衬底上生长的ZnSSe n〜+ -i-p结构分子束外延（MBE）的高增益和高灵敏度蓝紫外雪崩光电二极管（APD）

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High gain and high sensitive blue-ultraviolet avalanche photodiodes (APDs) are developed using high quality ZnSSe n~+-i-p hetero-structure grown on p-type GaAs substrates by molecular beam epitaxy (MBE). The short wavelength APDs have been realized by a new technique of interface superlattice buffers between p-GaAs and p-ZnSe hetero-interfaces, by which we have overcome large interface energy barriers (> 1 eV: for hole-conduction) and unstable dark leakage currents. Utilizing a benefit of the n~+-i-p structure on p-GaAs, the short wavelength APDs have been designed with an thin transparent n~+ window layer (< 300 A), demonstrating large APD gains (G > 90) and high sensitivities of 5-3 A/W in blue-ultraviolet optical region under very low reverse bias condition of 33 V.
机译：利用通过分子束外延（MBE）在p型GaAs衬底上生长的高质量ZnSSe n〜+ -i-p异质结构，开发了高增益和高灵敏度的蓝紫外雪崩光电二极管（APD）。短波长APD是通过p-GaAs和p-ZnSe异质界面之间的界面超晶格缓冲区的新技术实现的，通过该技术，我们克服了较大的界面能垒（> 1 eV：用于空穴传导）和不稳定的暗泄漏潮流。利用n-+-ip结构在p-GaAs上的优势，短波长APD被设计为具有薄的透明n〜+窗口层（<300 A），证明了大的APD增益（G> 90）和高灵敏度在33 V的非常低的反向偏置条件下，蓝紫外光学区域中的5-3 A / W的变化。

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