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机译:GaAs(100)上自组装(In,Ga)As量子点的温度依赖性光致发光:通过低能量连续态进行载流子重新分布
Nanomaterials Laboratory, National Institute for Materials Science, 1-2-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-0047, Japan;
quantum dot; photoluminescence; InGaAs; temperatue dependence;
机译:GaAsN量子阱注入器用于自组装InAs / GaAs量子点的温度相关载流子隧穿
机译:AlGaAs屏障层作为光束载体的重新分配通道的效果对GaAs量子点的光致发光性质的异常温度依赖性的再分配通道
机译:用光致发光激发光谱法研究具有In_(0.3)Ga_(0.7)As / GaAs量子点的自组装系统中的载流子转移过程
机译:自组装的InAs / GaAs量子点结构的温度依赖性光致发光和电学特性的测量
机译:自组装的InAs / GaAs /量子点太阳能电池。
机译:掺杂的自组装InAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs量子点中应变相关的光吸收的理论研究
机译:GaAs(100)上自组装(In,Ga)As量子点的温度依赖性光致发光:通过低能连续态进行载流子重新分布
机译:在Gaas(100)错位表面上由smEE生长的1.8 mL Inas量子点的光致发光。