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机译:浅沟槽隔离化学机械抛光(STI-CMP)中二氧化铈浆料的纳米形貌影响和非Prestonian行为
Nano-SOI Process Laboratory, Hanyang University, 17 Haengdang-Dong, Seoungdong-Gu, Seoul 133-791, Korea;
nanotopography; STI; CMP; ceria; slurry; surfactant; preston's law; wear-contact model;
机译:浅沟槽隔离化学机械抛光中二氧化铈浆料与阴离子表面活性剂的非Prestonian行为对磨料浓度和粒度的依赖性
机译:浅沟槽隔离化学机械抛光中磨料尺寸和表面活性剂浓度对二氧化铈浆料非Prestonian行为的影响
机译:纳米形貌对浅沟槽隔离化学机械抛光中二氧化铈浆料中磨料尺寸和表面活性剂浓度的影响
机译:浅沟槽隔离化学机械抛光中的纳米形貌影响-取决于浆料特性
机译:二氧化铈浆料在电介质化学机械抛光中的化学作用表征。
机译:浆料组成对金刚石薄膜化学机械抛光的影响
机译:纳米复印件对浅沟槽隔离化学机械抛光的表面活性剂加入对烟雾二氧化硅和二氧化硅浆料的依赖性