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首页> 外文期刊>Japanese Journal of Applied Physics. Part 1, Regular Papers & Short Notes >Investigation of SiCs~+, GeCs~+ and SiCs_2~+ Secondary Ion Emission from Si_(1-x)Ge_x
【24h】

Investigation of SiCs~+, GeCs~+ and SiCs_2~+ Secondary Ion Emission from Si_(1-x)Ge_x

机译：Si_（1-x）Ge_x产生的SiCs〜+，GeCs〜+和SiCs_2〜+二次离子的研究

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The entire composition range of Si_(1-x)Ge_x, was examined to investigate the generation mechanisms of SiCs~+, GeCs~+ and SiCs_2~+ ions in secondary ion mass spectrometry. The generation efficiency of Cs~+ secondary ion varied strongly with the sputtering yield along with the composition, while the generation efficiency ratio of SiCs~+ or GeCs~+ to Cs~+ was almost constant for the composition. The combination probabilities of Cs~+ and neutral Si or Ge are also constant independent of the composition. Therefore, the composition of Si_(1-x)Ge_x can be derived using a single Si_(1-x)Ge_x whose composition is known or using pure Si and pure Ge as the standard samples. The intensity of Cs_2~+ exhibited a peak around x = 0.5. The peak may denote that half of the Cs atoms are ionized. SiCs2~+ is not only generated by a combination of Cs2~+ and neutral Si because the generation efficiency ratio of SiCs2~+ to Cs_2~+ varies with the composition.
机译：研究了Si_（1-x）Ge_x的整个组成范围，以研究二次离子质谱法中SiCs〜+，GeCs〜+和SiCs_2〜+离子的生成机理。 Cs〜+二次离子的生成效率随溅射产量和组成的变化很大，而SiCs〜+或GeCs〜+对Cs〜+的生成效率比几乎恒定。 Cs〜+与中性Si或Ge的结合概率也恒定，与组成无关。因此，可以使用已知组成的单个Si_（1-x）Ge_x或使用纯Si和纯Ge作为标准样品来得出Si_（1-x）Ge_x的成分。 Cs_2〜+的强度在x = 0.5附近出现一个峰。该峰可以表示一半的Cs原子被离子化。 SiCs2〜+不仅由Cs2〜+和中性​​Si的组合产生，因为SiCs2〜+与Cs_2〜+的产生效率比随组成而变化。

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