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首页> 外文期刊>Japanese journal of applied physics >Controlling filament growth mode in resistive random-access memory based on thermal flow
【24h】

Controlling filament growth mode in resistive random-access memory based on thermal flow

机译：基于热流量控制电阻随机存取存储器中的灯丝生长模式

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To use resistive random-access memory (ReRAM) in various attractive applications, the guidelines of the device structure are required for controlling memory characteristics. In this study, 3D simulation of oxygen vacancy (V-O) diffusion was performed by adopting a combination of Soret and Fick diffusions as driving forces of V(O)s in NiO layers of Me/NiO/Me devices (Me = Pt, Ru, W). It was demonstrated that the reciprocating motion of V(O)s, accompanying resistive switching, could be reproduced consistently with good cycling endurance for unipolar-type ReRAM. Furthermore, our simulation revealed that the thermal flow from the NiO layer to the electrode (EL) caused V-O migration in the vertical direction, and affected both SET and RESET switching in contrast to previous reports. Accordingly, it is clear that the three-dimensional thermal design of the device structure considering ELs is crucial for tuning memory characteristics by controlling the balance of Fick and Soret diffusions.
机译：为了在各种有吸引力的应用中使用电阻随机存取存储器（RERAM），需要控制存储器特性所需的设备结构的指导。 在这项研究中，通过采用Soret和Fick扩散的组合作为ME / NIO / ME器件的NIO层（ME = PT，RU， w）。 结果证明，伴随电阻切换的V（O）S的往复运动可以始终如一地为单极式焦虑的良好循环耐久性而转。 此外，我们的模拟显示，从NIO层到电极（EL）的热流量在垂直方向上导致V-O迁移，并影响了与之前的报告相比的集和复位切换。 因此，显然，考虑ELS的装置结构的三维热设计对于通过控制Fick和Soret扩散的平衡来调谐存储器特性至关重要。

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