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首页> 外文期刊>Japanese journal of applied physics >Altitude dependent failure rate calculation for high power semiconductor devices in aviation electronics
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Altitude dependent failure rate calculation for high power semiconductor devices in aviation electronics

机译：航空电子中高功率半导体器件的高度依赖性故障率计算

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The electric power usage in aircraft has reached 1 MW. Therefore, use of high power semiconductor devices expected to increase in avionics. Single event burnout failure happens when power devices operating in blocking condition interact with the cosmic radiation. The failure rate in power devices is more in airplane altitude compare to terrestrial operation. In this paper, the failure rate of high power silicon PiN diode is evaluated when operating in airplane altitude due to the interaction of cosmic ray neutrons. The proposed formula has the unique feature of decoupling between failure cross section and cosmic ray neutron flux. This makes it possible to calculate the failure rate under any cosmic radiation environment using the proposed failure rate formulation.
机译：飞机中的电力用途达到了1兆瓦。 因此，使用预期的高功率半导体器件在航空电子中增加。 在阻塞条件下操作的电源设备与宇宙辐射相互作用时，会发生单一事件烧坏故障。 与地面操作相比，电力设备中的故障率更多。 本文由于宇宙射线中子的相互作用，在飞机高度操作时评估了高功率硅引脚二极管的故障率。 所提出的公式具有故障横截面和宇宙射线中子通量之间去耦的独特特征。 这使得可以使用所提出的故障率制定来计算任何宇宙辐射环境下的故障率。

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