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首页> 外文期刊>Japanese journal of applied physics >Surface flattening and Ge crystalline segregation of Ag/Ge structure by thermal anneal
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Surface flattening and Ge crystalline segregation of Ag/Ge structure by thermal anneal

机译：通过热退火的AG / GE结构的表面扁平和GE晶体偏析

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We have studied the formation of an ultrathin Ge crystalline layer by thermal annealing of Ag/Ge(100) and Ag/Ge(111) to obtain insights into the growth kinetics of two-dimensional Ge crystal. An atomic force microscope was used to evaluate the effect of the surface orientation of the Ge substrate on the surface morphology change by annealing in N-2 ambience at atmospheric pressure. Moreover, a very flat surface was obtained for both Ag/Ge(100) and the Ag/Ge(111) by controlling the anneal temperature. In addition, analysis of the Raman scattering spectroscopy indicated the formation of surface segregated Ge with high crystallinity on a flat Ag surface.
机译：我们通过Ag / Ge（100）和Ag / Ge（111）的热退火研究了超薄Ge晶体层，以获得对二维Ge晶体的生长动力学的见解。 原子力显微镜用于评估Ge基质表面取向对大气压下的N-2氛围中的表面形态变化的影响。 此外，通过控制退火温度，获得Ag / Ge（100）和Ag / Ge（111）的非常平坦的表面。 另外，拉曼散射光谱的分析表明，在平坦的Ag表面上具有高结晶度的表面隔离Ge。

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