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Thermodynamic and experimental studies of β-Ga_2O_3 growth by metalorganic vapor phase epitaxy

机译：β-GA_2O_3通过金属蒸汽相外延生长的热力学和实验研究

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Thermodynamic analysis and experimental demonstration of beta-Ga2O3 growth by metalorganic vapor phase epitaxy using triethylgallium (TEG) and oxygen (O-2) precursors were performed. Thermodynamic analysis revealed that the O-2 supplied is preferentially used for the combustion of hydrocarbons and H-2 derived from TEG. Therefore, the use of high growth temperatures and high input VI/III ratios is essential for the complete combustion of hydrocarbons and H-2, and beta-Ga2O3 growth. The use of an inert gas as the carrier gas was also determined as necessary to grow beta-Ga2O3 at high temperatures. Based on these results, a ((2) over bar 01) oriented smooth beta-Ga2O3 layer could be grown on a c-plane sapphire substrate at 900 degrees C with a growth rate of 1.4 mu m h(-1) at an input VI/III ratio of 100. The grown layer showed a clear optical bandgap of 4.84 eV, and impurity concentrations of hydrogen and carbon were below the background levels of the measurement system. (C) 2021 The Japan Society of Applied Physics
机译：通过使用三乙基镓（TEG）和氧（O-2）前体进行金属有机气相外延的β-Ga2O3生长的热力学分析和实验证明。热力学分析显示，提供的O-2优先用于衍生自TEG的烃和H-2的燃烧。因此，使用高生长温度和高输入VI / III比率对于烃和H-2的完全燃烧至β-GA2O3生长至关重要。根据需要在高温下生长β-GA2O3时也确定作为载气的惰性气体。基于这些结果，可以在900℃下以900℃在输入VI下生长速率在900℃下在C平面蓝宝石衬底上生长一个（（2）型）的光滑β-Ga2O3层。 / III比为100.生长层显示出4.84eV的透明光学带隙，氢气和碳的杂质浓度低于测量系统的背景水平。 （c）2021日本应用物理学会

著录项

  • 来源
    《Japanese journal of applied physics》 |2021年第4期|045505.1-045505.8|共8页
  • 作者

    Goto Ken; Ikenaga Kazutada; Tanaka Nami; Ishikawa Masato; Machida Hideaki; Kumagai Yoshinao;

  • 作者单位

    Tokyo Univ Agr & Technol Dept Appl Chem Koganei Tokyo 1848588 Japan;

    Tokyo Univ Agr & Technol Dept Appl Chem Koganei Tokyo 1848588 Japan|Taiyo Nippon Sanso Corp Minato Ku Tokyo 1080014 Japan;

    Tokyo Univ Agr & Technol Dept Appl Chem Koganei Tokyo 1848588 Japan;

    Gas Phase Growth Ltd Koganei Tokyo 1840012 Japan;

    Gas Phase Growth Ltd Koganei Tokyo 1840012 Japan;

    Tokyo Univ Agr & Technol Dept Appl Chem Koganei Tokyo 1848588 Japan|Tokyo Univ Agr & Technol Inst Global Innovat Res Koganei Tokyo 1848588 Japan;

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