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首页> 外文期刊>Japanese journal of applied physics >Growth of microcrystalline diamond films after fabrication of GaN high-electron-mobility transistors for effective heat dissipation
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Growth of microcrystalline diamond films after fabrication of GaN high-electron-mobility transistors for effective heat dissipation

机译：GaN高电子迁移率晶体管制造后微晶金刚石膜的生长，以有效散热

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Diamond films were grown on GaN high-electron mobility transistors (HEMTs) to improve thermal dissipation. We observed the temperature reduction in GaN HEMTs using Raman spectroscopy. The large-grain-size (over 1 mu m) diamond films grown under the 110 preferential growth condition exhibited a high thermal conductivity of over 200 W m(-1) K-1. These diamond films, which were grown at a high temperature of 700 degrees C, could be directly applied onto the GaN HEMT surface using a thermally stable SiN (x) metal insulator semiconductor gate structure. The maximum temperature and thermal resistance of the GaN HEMTs decreased by 100 K and from 12.7 mm K W-1 to 7.4 mm K W-1, respectively, when microcrystalline diamond films were applied onto the HEMT surfaces. As a result, the current density and trans-conductance of the GaN HEMTs were improved after diamond-film growth.
机译：金刚石薄膜在GaN高电子迁移率晶体管（HEMTS）上生长，以改善热耗散。 我们观察了使用拉曼光谱法测定GaN Hemts的降温。 在110优先生长条件下生长的大粒径（超过1μm）金刚石膜表现出超过200Wm（-1）k-1的高导热率。 这些金刚石薄膜在700℃的高温下生长，可以使用热稳定的SIN（x）金属绝缘体半导体栅极结构直接施加到GaN Hemt表面上。 当将微晶金刚石薄膜施加到HEMT表面上时，GaN Hemts的最大温度和热阻分别在100 k和12.7mm kW-1至7.4mm K W-1中降低。 结果，在金刚石膜生长后，GaN Hemts的电流密度和传导率得到改善。

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