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机译:单晶锗球的蚀刻
Raytheon Manufacturing Company, Waltham, Massachusetts;
机译:单晶锗球的蚀刻
机译:堆辐照锗和硅单晶的刻蚀行为
机译:单晶硅球和晶片的各向异性蚀刻的相关性
机译:硅锗和硅锗单晶的热导率介于85 K和300 K之间
机译:对乙酰氨基酚单晶表面粗糙度的分形分析和腐蚀机理研究。
机译:不脱位高纯度锗单晶中空隙的动态X射线衍射成像
机译:1.2厚钨单晶中的GeV电子辐射光谱和钨,锗和硅单晶中的总辐射损耗
机译:Czochralski生长的钙镓石榴石单晶微观偏析和缺陷的电子显微镜研究