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机译:用深层瞬态光谱法测量铜扩散硅晶体的空间电荷区域中铜中心的转变反应
College of Engineering, Ibaraki University, 12-1 Nakanarusawa-cho 4-chome, Hitachi, Ibaraki 316-8511, Japan,Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd., 1-1 Omika-cho 7-chome, Hitachi, Ibaraki 319-1292, Japan;
Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd., 1-1 Omika-cho 7-chome, Hitachi, Ibaraki 319-1292, Japan;
College of Engineering, Ibaraki University, 12-1 Nakanarusawa-cho 4-chome, Hitachi, Ibaraki 316-8511, Japan;
机译:深度扩散瞬态光谱法测量铜扩散硅晶体中1.014-eV光致发光铜中心解离反应的深度
机译:通过光致发光和深能级瞬态光谱法测量铜扩散的n型硅中的铜中心
机译:铜扩散硅晶体中1.014-eV铜中心解离能的深层瞬态光谱和光致发光测量
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机译:化学传感器,使用基于Quantum Fingerprint™模型的单晶金刚石板与基于电荷的深层瞬态光谱法进行查询:仪器和方法
机译:在(100)和(311)B GaAs衬底上生长的GaAs / AlGaAs多量子阱的深层瞬态光谱
机译:通过光致发光和深层瞬态光谱法测量硅中Cu和Ni的热行为