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机译:SiO_2基体中超低能离子注入合成的Ag纳米晶体的稳定性
Groupe Nanomat, CEMES-CNRS et Université de Toulouse, 29 me Jeanne Marvig - BP 94347 - 31055 Toulouse Cedex 4, France;
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Laboratorio MDM, IMM-CNR, via C Olivetti 2,I-20864 Agrate Brianza (MB), Italy;
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机译:纳米尺寸对Si离子注入合成SiO_2中Si纳米晶体光学性能的影响
机译:注入和退火条件对SiO_2中合成的Si纳米晶体离子束光致发光的影响
机译:离子注入法合成SiO_2中嵌入的Ge纳米晶体
机译:SiO_2薄层中超低能离子注入制备的Si纳米晶体的氧化
机译:超低能量静电带电粒子存储环的广义稳定性条件。
机译:嵌入晶体Ge中的磁性Mn5Ge3纳米晶体:通过离子注入合成的磁体/半导体混合物
机译:通过低能离子注入合成分布在栅极附近的栅极氧化物中的Ge纳米晶体的电荷俘获和保留行为