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【24h】

Scaling of surface roughness in sputter-deposited ZnO:AI thin films

机译：溅射沉积ZnO：Al薄膜中表面粗糙度的缩放

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摘要

We have studied surface roughness scaling of ZnO:Al thin films grown by rf magnetron sputtering of a compound target within framework of the dynamic scaling theory using atomic force microscopy. We have observed a crossover in scaling behavior of surface roughness at a deposition time of 25 min. Both the regimes are characterized by power-law dependence of local surface width w(r,t) on deposition time for small r, typical of anomalous scaling. The scaling exponents for the first regime indicate the existence of a new dynamics. For t≥25 min, the films follow super-rough scaling behavior with global exponents α=.5 ±0.2 and β= 1.03 ±0.01, and local exponents α_(local)=l and β_(local)=0.67±0.05. The anomaly in the scaling behavior of the films is discussed in terms of the shadowing instability and bombardment of energetic particles during growth of the films.
机译：我们已经使用原子力显微镜在动态缩放理论的框架内研究了通过射频磁控溅射复合靶材而生长的ZnO：Al薄膜的表面粗糙度定标。我们已经观察到在25分钟的沉积时间上，表面粗糙度的缩放行为发生了交叉。这两种方式的特征是局部表面宽度w（r，t）的幂律对沉积时间的影响较小，这是异常缩放的典型特征。第一种情况的缩放指数表明存在新的动力。对于t≥25min，膜遵循超粗糙的缩放行为，整体指数为α＝ .5±0.2和β＝ 1.03±0.01，局部指数为α_（local）＝ 1和β_（local）＝ 0.67±0.05。根据膜生长过程中的阴影不稳定性和高能粒子的轰击，讨论了膜的缩放行为异常。

著录项

  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |2009年第5期|054908.1-054908.6|共6页
  • 作者

    Bhaskar Chandra Mohanty; Hong-Rak Choi; Yong Soo Cho;

  • 作者单位

    Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea;

    Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea;

    Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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