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【24h】

Optical nonlinearity in GaAs quantum dots

机译：GaAs量子点中的光学非线性

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We have measured the optical saturation intensity of GaAs quantum dots and have found it to be 50 W/cm~2; more than an order of magnitude smaller than that reported for GaAs quantum wells. Compared to such quantum wells, our quantum dots also show a larger amount of saturation, again by more than an order of magnitude. We find that the saturation intensity of our quantum dots depends exponentially on the photoexcitation energy, with greater intensities required for photon energies closer to the bottom of the quantum dot confinement potential.
机译：我们测量了GaAs量子点的光饱和强度，发现它是50 W / cm〜2；比GaAs量子阱报告的数量级小一个数量级以上。与此类量子阱相比，我们的量子点还显示出更大的饱和度，再次超过一个数量级。我们发现，量子点的饱和强度与光激发能量成指数关系，光子能量所需的强度更大，更接近量子点限制电势的底部。

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