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【24h】

Tensile strain in arsenic heavily doped Si

机译：砷重掺杂硅中的拉伸应变

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In this paper we highlight the existence of tensile stress in heavily arsenic-doped epitaxial silicon (Si:As) prepared by low pressure chemical vapor deposition. Despite the large size of As atoms compared to Si ones, we demonstrate with x-ray diffraction and convergent electron beam diffraction that the heavily doped epitaxial layers show a tetragonal lattice with a reduced out of plane parameter. Using positron annihilation spectroscopy, we highlight the formation of arsenic-vacancies defects during the growth. We show that the tensile strain is related to this type of defects involving inactive As atoms and not to the As active concentration.
机译：在本文中，我们强调了通过低压化学气相沉积法制备的重掺杂砷的外延硅（Si：As）中存在张应力。尽管与Si原子相比，As原子的尺寸很大，但我们通过x射线衍射和会聚电子束衍射证明，重掺杂的外延层显示出四方晶格，其面外参数减小。使用正电子an没光谱，我们强调了生长过程中砷空位缺陷的形成。我们表明，拉伸应变与这种类型的缺陷有关，包括无活性的As原子，而不与As活性浓度有关。

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